[发明专利]焊料凸块及其焊盘、半导体器件及其制备方法、封装件、背光单元及照明设备

权利要求书

1.一种用于半导体器件中的焊料凸块，其特征在于，所述焊料凸块（840）的上表面（8401）和下表面（8402）均为平面，侧视截面为锥台型结构。

2.根据权利要求1所述的用于半导体器件中的焊料凸块，其特征在于，所述焊料凸块（840）的上表面（8401）面积与下表面（8402）面积比大于50%。

3.根据权利要求1或2所述的用于半导体器件中的焊料凸块，其特征在于，所述焊料凸块（840）的高度h大于其所在半导体器件的芯片整体高度H的5%，小于其所在半导体器件的芯片整体高度H的50%。

4. 根据权利要求1至3中任一项所述的用于半导体器件中的焊料凸块，其特征在于，所述焊料凸块（840）的材质为Sn成分大于40%的合金材料。

5.一种用于半导体器件中的焊盘，其特征在于，包括

金属反射层（810），具有与所述半导体器件中电极的表面相对的第一表面（811），以及从所述第一表面（811）的边缘延伸并连接至所述电极的第二表面（812）；

阻挡层（820），具有与所述第一表面相（811）对的顶面阻挡层（821），该顶面阻挡层（821）覆盖于所述第一表面（811）上；

金属间化合物层（830），具有顶面金属间化合物层（831），该顶面金属间化合物层（831）覆盖于所述顶面阻挡层（821）上；

权利要求1至4中任一项所述的焊料凸块（840），其键合至所述阻挡层（820），并使所述金属间化合物层（830）介于所述焊料凸块（840）与所述阻挡层（820）之间。

6.根据权利要求5所述的用于半导体器件中的焊盘，其特征在于，所述阻挡层（820）还具有与所述第二表面（812）相对的侧面阻挡层（822），该侧面阻挡层（822）覆盖所述第二表面（812）的部分或全部。

7.根据权利要求6所述的用于半导体器件中的焊盘，其特征在于，所述侧面阻挡层（822）的厚度大于或等于所述顶面阻挡层（821）的厚度。

8.根据权利要求6所述的用于半导体器件中的焊盘，其特征在于，所述金属间化合物层（830）还具有与所述侧面阻挡层（822）相对的侧面金属间化合物层（832），该侧面金属间化合物层（832）覆盖所述侧面阻挡层（822）。

9.根据权利要求8所述的用于半导体器件中的焊盘，其特征在于，所述侧面金属间化合物层（832）的厚度大于或等于所述顶面金属间化合物层（831）的厚度。

10.根据权利要求9所述的焊用于半导体器件中的盘，其特征在于，所述侧面金属间化合物层（832）的厚度与所述顶面金属间化合物层（831）的厚度之差大于等于所述金属间化合物层（830）与所述焊料凸块（840）互溶的厚度。

11.根据权利要求5至10中任一项所述的用于半导体器件中的焊盘，其特征在于，所述金属反射层（810）为Cr层、Ti层、Ni层、Al层或Ag层；

和/或，所述金属反射层（810）的厚度为5000A~20000A；

和/或，所述阻挡层（820）为Ti/Pt/Ti三层结构；

和/或，所述阻挡层（820）的Ti/Pt/Ti三层结构中，上下Ti层的厚度分别为 500~2000A，中间Pt层的厚度为500~3000A；

和/或，所述金属间化合物层（830）为Ni层或Ni/Au层；

和/或，所述金属间化合物层（830）中的Ni层的厚度为3000~10000A，Au层的厚度＞1000A。