[发明专利]一种超声成像器件及超声设备

权利要求书

1.一种超声成像器件，其特征在于，包括：

PI衬底层、设置于PI衬底上的多个阵元单元以及设置在多个阵元单元上的封装保护层；

其中，各个阵元单元之间通过软填充材料隔离；

所述阵元单元由下至上依次包括：下电极、凹形腔结构、振膜和上电极，所述下电极、所述凹形腔结构、所述振膜和所述上电极的横截面形状相同，所述凹形腔结构、所述振膜的横截面大小相同，所述上电极的横截面小于所述下电极的横截面，所述下电极设置在靠近所述PI衬底层一侧，所述上电极设置在靠近所述封装保护层一侧，其中，所述凹形腔结构的剖面结构为凹形，内部为中空腔室。

2.如权利要求1所述的超声成像器件，其特征在于，所述软填充材料包括以下之一：树脂、环氧树脂、聚二甲基硅氧烷。

3.如权利要求1所述的超声成像器件，其特征在于，所述下电极的剖面长度与所述凹形腔结构底边的剖面长度相同。

4.如权利要求1所述的超声成像器件，其特征在于，所述下电极的材料包括以下之一：Mo、TiAlTi、MoAlMo。

5.如权利要求1所述的超声成像器件，其特征在于，所述上电极的剖面长度为所述下电极的剖面长度的0.7倍。

6.如权利要求1至5中任一项所述的超声成像器件，其特征在于，所述振膜的频率为3-10M，所述振膜的剖面长度为10-30um，所述振膜的厚度为0.1-0.6um。

7.如权利要求1至5中任一项所述的超声成像器件，其特征在于，所述凹形腔结构的高度为0.2-0.8um。

8.如权利要求1至5中任一项所述的超声成像器件，其特征在于，所述凹形腔结构的材料为绝缘材料。

9.如权利要求1至5中任一项所述的超声成像器件，其特征在于，所述下电极的横截面为圆形。

10.一种超声设备，其特征在于，包括：权利要求1至9中任一项所述的超声成像器件。