[发明专利]半导体工艺设备及其晶圆传输装置在审

专利信息
申请号: 202111554180.4 申请日: 2021-12-17
公开(公告)号: CN114220762A 公开(公告)日: 2022-03-22
发明(设计)人: 刘英伟 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/677
代理公司: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 代理人: 高东
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 半导体 工艺设备 及其 传输 装置
【说明书】:

发明公开了一种半导体工艺设备及其晶圆传输装置,包括晶圆吸盘和传输臂,所述晶圆吸盘与所述传输臂连接,其中:所述晶圆吸盘开设有多个负压槽和多个气道,多个所述负压槽的尺寸不同,多个所述气道用于与多个所述负压槽一一对应连通,所述传输臂开设有负压通道,所述负压通道用于与多个所述气道连通,用于使对应的所述负压槽内形成负压;多个所述负压槽的槽口边缘分别形成相应的负压吸附接触部,多个所述负压吸附接触部分别用于与不同尺寸的晶圆抵接,所述晶圆在所述负压槽的负压作用下吸附于所述负压吸附接触部。上述方案可以解决晶圆吸盘吸附不同尺寸的晶圆时,需要使用不同的晶圆传输装置或更换不同的晶圆吸盘而存在工作效率较低的问题。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域,尤其涉及一种半导体工艺设备及其晶圆传输装置。

背景技术

半导体工艺设备在对晶圆工艺过程中,需要通过晶圆传输装置抓取放置在基座上的晶圆。尤其在一些工艺环境下,需要使用特定的晶圆传输装置,例如真空晶圆传输装置。通过晶圆传输装置产生负压,以使晶圆传输装置的晶圆吸盘将晶圆从晶圆正面进行吸附,以实现对晶圆的抓取。

晶圆属于精密器件,在抓取晶圆时,晶圆吸盘与晶圆的接触位置需要在特定的区域,例如晶圆正面的边缘,晶圆吸盘与晶圆的其他部位接触可能会造成晶圆的损坏。目前的晶圆吸盘在制造时只是适用于吸附一种尺寸的晶圆。因此,在吸附不同尺寸的晶圆时,需要使用不同的晶圆传输装置或更换不同的晶圆吸盘。在吸附不同尺寸的晶圆时,使用不同的晶圆传输装置或更换不同的晶圆吸盘存在工作效率较低的问题。

发明内容

本发明公开了一种半导体工艺设备及其晶圆传输装置,以解决晶圆吸盘吸附不同尺寸的晶圆时,需要使用不同的晶圆传输装置或更换不同的晶圆吸盘而存在工作效率较低的问题。

为了解决上述技术问题,本发明是这样实现的:

第一方面,本申请公开一种晶圆传输装置,包括晶圆吸盘和传输臂,所述晶圆吸盘与所述传输臂连接,其中:

所述晶圆吸盘开设有多个负压槽和多个气道,多个所述负压槽的尺寸不同,多个所述气道用于与多个所述负压槽一一对应连通,所述传输臂开设有负压通道,所述负压通道用于与多个所述气道连通,用于使对应的所述负压槽内形成负压;

多个所述负压槽的槽口边缘分别形成相应的负压吸附接触部,多个所述负压吸附接触部分别用于与不同尺寸的晶圆抵接,所述晶圆在所述负压槽的负压作用下吸附于所述负压吸附接触部。

第二方面,本申请还公开一种半导体工艺设备,包括基座和第一方面所述的晶圆传输装置,所述基座开设有多个晶圆槽,多个所述晶圆槽用于承载不同尺寸的所述晶圆。

本发明采用的技术方案能够达到以下技术效果:

本申请公开的晶圆传输装置通过在晶圆吸盘上开设多个负压槽和多个气道,传输臂开设有负压通道,使得负压槽可以通过负压通道与气道在负压槽内形成负压环境,进而使得晶圆在负压槽内的负压作用下吸附于晶圆吸附接触部上,从而实现晶圆的抓取。

由于晶圆吸盘的负压吸附接触部只能与晶圆的特定区域抵接,通过设置多个不同尺寸的负压槽,使得不同尺寸的负压槽的槽口边缘可以形成相应的负压吸附接触部,进而实现不同尺寸的负压槽的槽口边缘形成的相应的负压吸附接触部与不同尺寸晶圆的特定区域抵接,以实现一个晶圆吸盘对不同尺寸晶圆的吸附,从而有效地解决了晶圆吸盘只能吸附一种尺寸晶圆的问题,进而有效地避免了吸附不同尺寸的晶圆时需要更换晶圆传输装置或更换晶圆吸盘的问题,从而有效地提高了晶圆吸盘在吸附不同尺寸的晶圆时的工作效率。

附图说明

图1为本发明实施例公开的一种晶圆吸盘的结构示意图;

图2为本发明实施例公开的一种晶圆吸盘的半剖示意图;

图3为本发明实施例公开的一种晶圆吸盘的第一局部示意图;

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