[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

多个第一焊盘，设置于所述衬底上；

钝化层，设置于所述衬底上，且所述钝化层暴露所述多个第一焊盘；

介电层，覆盖部分所述钝化层并包括多个介电层开口以暴露所述多个第一焊盘，其中所述介电层的材料包括有机材料；以及

多个第一导电凸块，设置于所述多个介电层开口内并连接所述多个第一焊盘，其中所述多个第一导电凸块之间的间距等于或小于20微米。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述介电层的厚度大于所述钝化层的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括凸块底金属层，设置于所述多个第一焊盘以及所述多个第一导电凸块之间，并覆盖所述多个介电层开口的侧壁。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多个第一导电凸块中的每一个的顶表面至所述介电层的顶表面的距离与所述多个第一导电凸块之间的间距的比值等于或小于1。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述介电层的厚度介于3微米至15微米之间。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述介电层的材料包括聚酰亚胺、苯并环丁烯或聚苯恶唑。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述钝化层环绕并覆盖所述多个第一焊盘的周缘部份并包括暴露所述多个第一焊盘的多个钝化层开口，所述多个介电层开口分别对应所述多个钝化层开口。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述介电层至少覆盖位于所述多个第一焊盘之间的部分所述钝化层。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

多个第二焊盘，设置于所述衬底上，其中所述钝化层暴露所述多个第二焊盘；以及

多个第二导电凸块，设置于所述钝化层上并连接所述多个第二焊盘，其中所述多个第二导电凸块之间的间距大于所述多个第一导电凸块之间的间距。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述介电层暴露位于所述多个第二焊盘之间的部分所述钝化层。

11.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

形成多个焊盘于衬底上；

形成钝化层于所述衬底上，其中所述钝化层暴露所述多个焊盘；

形成介电层于所述钝化层上，其中所述介电层包括多个介电层开口以暴露所述多个焊盘；

设置光刻胶层于所述介电层上，其中所述光刻胶层包括对应所述多个介电层开口的多个光刻胶开口；

进行电镀工艺以形成多个导电凸块于所述多个光刻胶开口以及对应的所述多个介电层开口内；以及

移除所述光刻胶层。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述光刻胶层的厚度与所述多个光刻胶开口之间的间距的比值等于或小于1。

13.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述多个导电凸块之间的间距等于或小于20微米。

14.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括：

在设置所述光刻胶层于所述介电层上之前，形成凸块底金属层于所述介电层以及被所述介电层所暴露的所述多个焊盘上。

15.根据权利要求14所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括：

在移除所述光刻胶层之后，移除被多个导电凸块所暴露的部分所述凸块底金属层。