[发明专利]一种显示面板及其温度调控方法在审
申请号: | 202111545475.5 | 申请日: | 2021-12-16 |
公开(公告)号: | CN114300512A | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 刘生泽;阮崇鹏;张春鹏;鲜于文旭 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G05D23/19 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 王芳芳 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 温度 调控 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
薄膜晶体管层,设置于所述基板上;
第一平坦层,设置于所述薄膜晶体管层远离所述基板的一侧的表面上;
光电探测器,其包括:
第一电极,设置于所述第一平坦层远离所述基板的一侧的表面上;
活性层,设置于所述第一电极远离所述基板的一侧的表面上;以及
第二电极,设置于所述活性层远离所述基板的一侧的表面上;
第一遮光层,覆盖于所述活性层远离所述基板的一侧;以及
第二遮光层,设置于所述第一电极远离所述基板的一侧的表面上,所述第一遮光层在对应于所述第一电极的位置处设有第一开口;
其中,所述活性层设置于所述第一开口内。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
阳极,设置于所述第一平坦层远离所述基板的一侧;
像素定义层,设置于所述阳极远离所述基板的一侧的表面上,所述像素定义层在对应于所阳极的位置处设有第二开口;
发光层,设置于所述第二开口内的所述阳极远离所述基板的一侧的表面上;以及
阴极,设置于所述发光层远离所述基板的一侧的表面上;
其中,所述阳极以及所述第一电极均为不透光电极。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第二电极为透光电极,所述第一遮光层设置于所述第二电极远离所述基板的一侧。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第二电极为不透光电极,所述第二电极复用为所述第一遮光层。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述阳极设置于所述光电探测器远离所述基板的一侧。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述光电探测器在所述基板上的投影落入所述阳极在所述基板上的投影内,所述阳极复用为所述第一遮光层。
7.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述阳极与所述第一电极同层设置。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述阴极复用为所述第二电极。
9.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述像素定义层采用遮光材料组成,所述像素定义层复用为所述第二遮光层。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管层包括:
第一薄膜晶体管器件,其包括:
第一源极,电连接至所述光电探测器的第一电极;以及
第一漏极,电连接至一控制芯片。
11.一种如权利要求1-10中任一项所述的显示面板的温度调控方法,其特征在于,包括以下步骤:
获取不同温度下的光电探测器的暗电流值,得到温度电流拟合曲线;
通过第一薄膜晶体管器件获取所述光电探测器的实时暗电流值;
根据所述实时暗电流值,从所述温度电流拟合曲线中获得该实时暗电流值对应的实时温度值;
判断所述实时温度值是否位于预设温度范围内,当所述实时温度值超出所述预设温度范围外时,执行温度调控。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的