[发明专利]彩膜层的光学调节方法及显示面板在审
申请号: | 202111544928.2 | 申请日: | 2021-12-16 |
公开(公告)号: | CN114284321A | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 刘静;周菁 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02B5/20 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨瑞 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 彩膜层 光学 调节 方法 显示 面板 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
发光功能层,包括多个间隔设置的发光单元;以及
彩膜层,设置于所述发光功能层上,所述彩膜层包括多个间隔设置的色阻,一所述色阻与一所述发光单元对位设置;
其中,一所述发光单元与对应的一所述色阻中,所述色阻的透过光谱的峰值与对应的所述发光单元的发光光谱的峰值之间的差值的绝对值小于或等于10纳米,所述色阻的透过光谱的半峰宽与对应的所述发光单元的发光光谱的半峰宽的差值大于或等于10纳米。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述发光功能层包括红色发光单元,所述彩膜层包括与所述红色发光单元对位设置的红色色阻,其中,所述红色色阻的透过光谱的峰值波长大于600纳米。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述发光功能层包括绿色发光单元,所述彩膜层包括与所述绿色发光单元对位设置的绿色色阻,其中,所述绿色色阻的透过光谱的峰值波长介于507纳米至547纳米。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述发光功能层包括蓝色发光单元,所述彩膜层包括与所述蓝色发光单元对位设置的蓝色色阻,其中,所述蓝色色阻的透过光谱的峰值波长介于440纳米至480纳米。
5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述色阻的透过率的范围为44.3%至65%。
6.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述色阻的半峰宽数值小于150纳米。
7.一种彩膜层的光学调节方法,其特征在于,应用于显示面板中,所述显示面板包括发光功能层,所述彩膜层设置与所述发光功能层上,所述发光功能层包括多个间隔设置的发光单元,所述彩膜层包括多个间隔设置的色阻,一所述色阻与一所述发光单元对位设置;
在一所述发光单元与对应的一所述色阻中,所述彩膜层光学调节方法包括以下步骤:
获取所述发光单元的发光光谱;
设定第一阈值和第二阈值;
根据所述发光光谱的峰值和所述第一阈值确定所述透过光谱的峰值,其中,所述第一阈值为10纳米;
根据所述发光光谱的半峰宽和所述第二阈值确定所述透过光谱的半峰宽,其中,所述第二阈值为10纳米;
根据所述透过光谱的峰值和所述透过光谱的半峰宽确定所述透过光谱,以使所述发光单元的发光光谱的范围位于所述色阻的透过光谱的范围内。
8.如权利要求7所述彩膜层光学调节方法,其特征在于,在一所述发光单元与对应的一所述色阻中,所述彩膜层光学调节方法还包括
获取所述显示面板的预设额定功耗、所述色阻的反射率阈值和所述发光单元的实际反射率值,根据所述显示面板的预设额定功耗、所述色阻的反射率阈值和所述发光单元的实际反射率值确定所述色阻的透过率。
9.如权利要求8所述彩膜层光学调节方法,其特征在于,所述获取所述显示面板的预设额定功耗、所述色阻的反射率阈值和所述发光单元的实际反射率值,根据所述显示面板的预设额定功耗、所述色阻的反射率阈值和所述发光单元的实际反射率值确定所述色阻的透过率,包括:
根据所述显示面板的预设额定功耗确定所述色阻的最小透过率;
根据所述色阻的反射率阈值和所述发光单元的实际反射率值确定所述色阻的最大透过率。
10.如权利要求9所述彩膜层光学调节方法,其特征在于,根据下列关系式(1)和关系式(2)确定所述色阻的最小透过率:
P1<M......(2)
其中,T1为所述色阻的最小透过率,K为一常数,P1为所述显示面板的功耗,M所述显示面板的预设额定功耗。
11.如权利要求9所述彩膜层光学调节方法,其特征在于,根据下列关系式(3)、关系式(4)和关系式(5)确定所述色阻的最大透过率:
r<R2......(4)
其中,T2为所述色阻的最大透过率,r为所述色阻的反射率,R1为所述发光单元的实际反射率,T3为所述色阻在一预设波段的透过率,S为人眼视觉函数,R2为所述色阻的反射率阈值,F1为所述发光单元所述预设波段的发光强度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的