[发明专利]偏置电压生成电路、方法及无源混频器

说明书

本申请公开了一种偏置电压生成电路、方法及无源混频器。其中，偏置电压生成电路设置在无源混频器中，包括：射频转换电路和电平转换电路；所述射频转换电路，用于将所述无源混频器的输入信号转换为直流信号，并向所述电平转换电路输出转换后的直流信号；所述电平转换电路，用于利用所述转换后的直流信号生成偏置电压，并向所述无源混频器的栅极直流偏置电路输出所述偏置电压，以使所述栅极直流偏置电路向所述无源混频器的目标晶体管的栅极输出的电压大于所述目标晶体管的阈值电压，致使所述目标晶体管一直处于导通状态。

技术领域

本申请涉及无线电领域，尤其涉及一种偏置电压生成电路、方法及无源混频器。

背景技术

经典的无源混频器的电路结构如图1所示，主要包括用于实现频率搬移功能的N型金属氧化物半导体(NMOS，N-Metal-Oxide-Semiconductor)晶体管(也可以称为NMOS管)，栅极(可以表示为G)、漏极(可以表示为D)和源极(可以表示为S)各自对应的用于隔离直流电的电容(可以简称为隔直电容)C_G、C_D和C_S，以及栅极、漏极和源极各自对应的用于对输入的偏置电压进行分压处理的直流偏置电路Z_G、Z_D和Z_S。无源混频器用于混频的输入信号(中心频率可以表示为F_IN)与本振信号(中心频率可以表示为F_LO)施加到NMOS晶体管时，在导通状态下，NMOS晶体管会将用于混频的输入信号的中心频率从F_IN搬移到F_IN+F_LO或F_IN-F_LO；在关闭状态下，用于混频的输入信号无法通过NMOS晶体管，此时无源混频器的输出信号为0。

相关技术中，NMOS晶体管长时间处于关闭状态，导致无源混频器存在较高的插入损耗。

发明内容

为解决相关技术问题，本申请实施例提供一种偏置电压生成电路、方法及无源混频器。

本申请实施例的技术方案是这样实现的：

本申请实施例提供了一种偏置电压生成电路，设置在无源混频器中，包括：射频转换电路和电平转换电路；其中，

所述射频转换电路，用于将所述无源混频器的输入信号转换为直流信号，并向所述电平转换电路输出转换后的直流信号；

所述电平转换电路，用于利用所述转换后的直流信号生成偏置电压，并向所述无源混频器的栅极直流偏置电路输出所述偏置电压，以使所述栅极直流偏置电路向所述无源混频器的目标晶体管的栅极输出的电压大于所述目标晶体管的阈值电压，致使所述目标晶体管一直处于导通状态。

上述方案中，所述无源混频器的输入信号包括本振信号或用于混频的输入信号；所述偏置电压生成电路，还包括：

分配电路，用于利用所述本振信号或所述用于混频的输入信号，获得目标信号，并向所述射频转换电路输出所述目标信号；

所述射频转换电路，用于将所述目标信号转换为直流信号。

上述方案中，在利用所述本振信号获得所述目标信号的情况下，所述分配电路，用于将所述本振信号分配成用于混频的子信号和所述目标信号，并向所述目标晶体管的栅极输出所述用于混频的子信号；所述用于混频的子信号和所述目标信号的功率相同或不同。

上述方案中，所述无源混频器的结构包含单平衡结构；所述分配电路，包括：第一巴伦电路、第一分配子电路和第二分配子电路；所述射频转换电路，包括：第一射频转换子电路和第二射频转换子电路；所述电平转换电路，包括：第一电平转换子电路和第二电平转换子电路；其中，