[发明专利]一种快速、高效、精准的单晶PERC绒面制备方法在审
申请号: | 202111543218.8 | 申请日: | 2021-12-16 |
公开(公告)号: | CN114284388A | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 王丽婷;周啸颖;王守志;孙航;舒振兴;刘海涛;黄镇;刘阳;高荣刚;黄国平;李菁楠 | 申请(专利权)人: | 中节能太阳能科技(镇江)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C30B33/10;C30B29/06 |
代理公司: | 镇江基德专利代理事务所(普通合伙) 32306 | 代理人: | 刘兰 |
地址: | 212000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 快速 高效 精准 perc 制备 方法 | ||
本发明公开了一种快速、高效、精准的单晶PERC绒面制备方法,包括以下步骤:S1:清洗单晶硅片表面,去除单晶硅片表面的损伤层和有机杂质;S2:制绒液的配置:将制绒添加剂加到碱溶液中,混合均匀;S3:将单晶硅片置入步骤S2制得的制绒液中进行制绒;S4:清洗制绒后的单晶硅片,去除单晶硅片表面残留的有机物;S5:对制绒后的单晶硅片进行酸洗,去除单晶硅片表面的金属杂质;S6:慢提拉和烘干硅片,去除制绒清洗后硅片表面的水渍。
技术领域
本发明涉及一种快速、高效、精准的单晶PERC绒面制备方法。
背景技术
随着世界能源紧缺和环境污染等问题的加剧,清洁能源的需求不断增加,太阳能发电越来越受到人们的关注。硅基太阳能电池成本低、转换效率高,占据了光伏行业约90%的市场份额。近年来,随着选择性发射极(SE)激光掺杂和背面钝化(PERC)技术的发展,尤其是SE双面PERC电池的出现,单晶硅电池的光电转换效率提升至22%~24%,市场地位被进一步巩固。通过化学湿法腐蚀在单晶硅片表面制备金字塔状的陷光结构,可有效降低反射率,从而提高光电转换效率。但是腐蚀后的金字塔形态会影响磷扩散深度和浓度、钝化膜钝化效果以及丝网印刷银电极的接触,从而影响太阳电池的电性能。因此,如何提高单晶硅电池片表面织构的质量,优化制绒工艺参数,对单晶硅电池的光电转换效率的提高具有重要意义。
目前传统制绒工艺在提高电池效率方面趋于瓶颈,因此优化制绒工艺,确定与后续扩散、镀膜和丝网印刷工艺最为匹配的单晶制绒工艺,从而提高电池片的转换效率则显得更为紧迫。硅片制绒批量生产过程中,随着制绒批次的增长,化学反应消耗会使溶液中的OH-浓度逐渐降低,含量逐渐升高,造成金字塔尺寸增大,反射率升高,使得制绒液失效,从而造成是生产工艺波动,影响制绒效果。为了解决上述问题,维持制绒制程稳定,延长药液寿命周期,每生产一定批次后进行药液定排和药液补加,药液补加量的确定直接影响织构效果。
发明内容
本发明的目的在于解决上述问题,提供一种制绒效果优异,制绒后绒面金字塔的尺寸较小,分布均匀,陷光效果好,因而能提高太阳能电池片的光电转换效率的制绒方法。
一种快速、高效、精准的单晶PERC绒面制备方法,包括以下步骤:
S1:清洗单晶硅片表面,去除单晶硅片表面的损伤层和有机杂质;
S2:制绒液的配置:将制绒添加剂加到碱溶液中,混合均匀;
S3:将单晶硅片置入步骤S2制得的制绒液中进行制绒;
S4:清洗制绒后的单晶硅片,去除单晶硅片表面残留的有机物;
S5:对制绒后的单晶硅片进行酸洗,去除单晶硅片表面的金属杂质;
S6:慢提拉和烘干硅片,去除制绒清洗后硅片表面的水渍。
作为进一步改进,步骤S1中清洗单晶硅片的清洗剂为0.66%KOH和3.84%的水溶液。
作为进一步改进,步骤S2中所述的制绒添加剂的体积分数为0.4~0.6%,所述的碱溶液为体积分数为2%的氢氧化钾水溶液。
作为进一步改进,步骤S3中的制绒温度为80~88℃,制绒时间为360~520s。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的