[发明专利]一种抗拉伸氮化铝生瓷基片的制备方法有效
| 申请号: | 202111540168.8 | 申请日: | 2021-12-16 | 
| 公开(公告)号: | CN114014669B | 公开(公告)日: | 2023-06-30 | 
| 发明(设计)人: | 韩金鑫;张斌;艾树鹤;赵园园;张爱华 | 申请(专利权)人: | 河北中瓷电子科技股份有限公司 | 
| 主分类号: | C04B35/581 | 分类号: | C04B35/581;C04B35/622;C04B35/64 | 
| 代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 李坤 | 
| 地址: | 050200 河北省石*** | 国省代码: | 河北;13 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 拉伸 氮化 铝生瓷基片 制备 方法 | ||
1.一种抗拉伸氮化铝生瓷基片的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤a,将粘结剂、增塑剂和有机溶剂混合均匀,得混合溶液;
步骤b,将分散剂、有机溶剂和烧结助剂加入球磨机中进行第一预球磨,然后加入氮化铝粉进行第二预球磨,得预磨粉体;
步骤c,将所述混合溶液加入预磨粉体中进行球磨,然后于负压条件下进行真空脱泡至浆料粘度为2000CPS~20000CPS,得流延浆料;
所述负压条件的真空度为0.05MPa~0.095MPa;
步骤d,采用4段分区温控式流延机对所述流延浆料进行流延成型,干燥,得氮化铝生瓷基片;其中,分区温控式流延机的干燥仓一区的温度为70℃~90℃,干燥仓二区的温度为50℃~70℃,干燥仓三区的温度为40℃~50℃,干燥仓四区的温度为90℃~110℃;
其中,步骤a和步骤b中,所述有机溶剂为无水乙醇、丁酮、甲基异丁基酮或甲苯中任意两种组成的二元溶剂。
2.如权利要求1所述的抗拉伸氮化铝生瓷基片的制备方法,其特征在于,步骤a中,各组分的用量为:粘结剂2~10份,增塑剂0.5~5.0份,有机溶剂20~25份。
3.如权利要求1或2所述的抗拉伸氮化铝生瓷基片的制备方法,其特征在于,步骤a中,所述粘结剂为聚乙烯醇缩丁醛;和/或
步骤a中,所述增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯、邻苯二甲酸丁基苄酯、酞酸二丁酯、碳酸丙烯酸酯或聚乙二醇。
4.如权利要求3所述的抗拉伸氮化铝生瓷基片的制备方法,其特征在于,步骤a和步骤b中,所述有机溶剂为无水乙醇与甲基异丁基酮、无水乙醇与丁酮、无水乙醇与甲苯、丁酮与甲苯或甲基异丁基酮与甲苯组成的二元溶剂。
5.如权利要求1所述的抗拉伸氮化铝生瓷基片的制备方法,其特征在于,步骤b中,各组分的用量为:分散剂0.5~2.0份,有机溶剂50~80份,烧结助剂1~8份,氮化铝粉体90份~100份。
6.如权利要求1或5所述的抗拉伸氮化铝生瓷基片的制备方法,其特征在于,步骤b中,所述分散剂为油酸、亚油酸、硬脂酸、聚丙烯酸盐分散剂或鲱鱼鱼油;和/或
步骤b中,所述烧结助剂为氧化钐、氧化钇、氧化镝或氧化铕中至少一种。
7.如权利要求1所述的抗拉伸氮化铝生瓷基片的制备方法,其特征在于,步骤b中,所述第一预球磨的转速为20rpm~40rpm,球磨时间为2h~4h;和/或
步骤b中,所述第二预球磨的转速为20rpm~40rpm,球磨时间为24h~48h。
8.如权利要求1所述的抗拉伸氮化铝生瓷基片的制备方法,其特征在于,步骤c中,所述球磨的转速为20rpm~40rpm,球磨时间为24h~48h。
9.如权利要求1所述的抗拉伸氮化铝生瓷基片的制备方法,其特征在于,步骤d中,流延带速为0.3m/min~0.8m/min。
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