[发明专利]氦氙冷却反应堆、反应性控制评价方法、装置及设备

权利要求书

1.一种氦氙冷却反应堆，其特征在于，包括堆芯及抽拉式反射层；

所述抽拉式反射层包括多个可抽拉的反射块，多个所述可抽拉的反射块沿所述堆芯的轴向方向设置于所述堆芯的外侧；

至少一个所述可抽拉的反射块可沿所述堆芯的轴向方向移动，以改变所述抽拉式反射层的反射效果。

2.根据权利要求1所述的氦氙冷却固体反应堆，其特征在于，所述可抽拉的反射块沿所述堆芯的轴向设置有多个；和/或，

所述可抽拉的反射块沿所述堆芯的周向设置有多个。

3.根据权利要求1所述的氦氙冷却固体反应堆，其特征在于，

所述可抽拉的反射块可沿所述堆芯的轴向方向向上移动，和/或，向下移动。

4.一种反应性控制评价方法，其特征在于，应用于权利要求1-3任一项所述的氦氙冷却固体反应堆，包括：

获取抽拉式反射层的组成成分配比范围及尺寸范围；

对不同的组成成分配比及尺寸组合进行敏感性分析，确定所述抽拉式反射层的微分价值；

根据所述微分价值确定反应性控制效果；

若所述反应性控制效果符合预设条件，则确定反应性控制方案；所述反应性控制方案包括所述抽拉式反射层的组成成分配比、尺寸及抽拉位置控制信息。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述获取抽拉式反射层的组成成分配比范围及尺寸范围，包括：

根据氦氙冷却固体反应堆的体积、重量约束条件确定抽拉式反射层的尺寸范围；以及，

根据不同材料的反射效果确定抽拉式反射层的组成成分配比。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对不同的组成成分配比及尺寸组合进行敏感性分析，确定所述抽拉式反射层的微分价值，包括：

对不同的组成成分配比及尺寸组合，以及所述抽拉式反射层处于堆芯轴向上不同位置进行临界计算，确定所述抽拉式反射层的微分价值。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

若所述反应性控制效果不符合预设条件，则在所述组成成分配比范围及所述尺寸范围内调整所述组成成分配比及所述尺寸。

8.一种反应性控制评价装置，其特征在于，应用于权利要求1-3任一项所述的氦氙冷却固体反应堆，包括：

获取模块，用于获取抽拉式反射层的组成成分配比范围及尺寸范围；

分析模块，用于对不同的组成成分配比及尺寸组合进行敏感性分析，确定所述抽拉式反射层的微分价值；

控制效果确定模块，用于根据所述微分价值确定反应性控制效果；

控制方案确定模块，用于若所述反应性控制效果符合预设条件，则确定反应性控制方案；所述反应性控制方案包括所述抽拉式反射层的组成成分配比、尺寸及抽拉位置控制信息。

9.一种反应性控制评价设备，其特征在于，包括：

处理器；以及被安排成存储计算机可执行指令的存储器，所述可执行指令在被执行时使所述处理器实现权利要求4-7任一项所述的反应性控制评价方法。

10.一种存储介质，其特征在于，用于存储计算机可执行指令，所述可执行指令在被执行时实现权利要求4-7任一项所述的反应性控制评价方法。