[发明专利]全方位肖特基接触的沟槽型半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111538563.2 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN114220870A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 徐妙玲;孙博韬;张晨;邱艳丽;修德琦;李天运 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 梁栋 |
| 地址： | 102600 北京市大兴区北京经济技*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 全方位 肖特基 接触 沟槽 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种全方位肖特基接触的沟槽型半导体器件，其特征在于，包括：
第一掺杂类型的半导体本体，其上表面具有多条沟槽；
第二掺杂类型的多个注入区域，其被间隔地设置于所述沟槽的底部且延伸至所述半导体本体内；
金属层，其与所述半导体本体的上表面、所述沟槽的侧壁和所述沟槽的底壁接触形成肖特基接触。
2.根据权利要求1所述的全方位肖特基接触的沟槽型半导体器件，其特征在于，所述注入区域的宽度与所述沟槽的宽度相同。
3.根据权利要求1所述的全方位肖特基接触的沟槽型半导体器件，其特征在于，所述注入区域的宽度沿所述沟槽的深度方向逐渐增大。
4.根据权利要求1所述的全方位肖特基接触的沟槽型半导体器件，其特征在于，所述注入区域的宽度大于所述沟槽的宽度。
5.根据权利要求1所述的全方位肖特基接触的沟槽型半导体器件，其特征在于，位于同一所述沟槽内的所述注入区域等间距分布；位于相邻两个沟槽内的相邻两个注入区域交错分布。
6.根据权利要求1所述的全方位肖特基接触的沟槽型半导体器件，其特征在于，所述金属层包括高势垒金属层和低势垒金属层；
所述高势垒金属层与所述沟槽的侧壁和底壁接触形成肖特基接触；
所述低势垒金属层与所述半导体本体的上表面接触形成肖特基接触。
7.根据权利要求1所述的全方位肖特基接触的沟槽型半导体器件，其特征在于，所述半导体本体包括高掺杂浓度的衬底和低掺杂浓度的外延层，所述衬底和所述外延层直接接触。
8.根据权利要求1所述的全方位肖特基接触的沟槽型半导体器件，其特征在于，所述半导体本体包括高掺杂浓度的衬底、低掺杂浓度的第一外延层和高掺杂浓度的第二外延层；
所述衬底和所述第一外延层直接接触，所述第一外延层和所述第二外延层直接接触。
9.一种全方位肖特基接触的沟槽型半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
在高浓度第一掺杂类型的衬底上生长低浓度第一掺杂类型的外延层；
在外延层的上表面蚀刻形成多条沟槽；
在沟槽的底部间隔地注入第二掺杂类型的离子形成多个注入区域。
10.一种全方位肖特基接触的沟槽型半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
在高浓度第一掺杂类型的衬底上生长低浓度第一掺杂类型的第一外延层；
在第一外延层的表面生长高浓度第一掺杂类型的第二外延层，或在第一外延层的表面注入第一掺杂类型的离子形成第二外延层；
在第二外延层的上表面蚀刻形成多条沟槽；
在沟槽的底部间隔地注入第二掺杂类型的离子形成多个注入区域。
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