[发明专利]一种氧化铟钛钇粉体及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111536234.4 申请日: 2021-12-15
公开(公告)号: CN114031372A 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 王奇峰;邵学亮;李开杰;张来稳 申请(专利权)人: 先导薄膜材料(广东)有限公司
主分类号: C04B35/01 分类号: C04B35/01;C04B35/626
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 颜希文;郝传鑫
地址: 511517 广东省清*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 氧化 铟钛钇粉体 及其 制备 方法
【说明书】:

发明公开了一种氧化铟钛钇粉体及其制备方法,属于铟钛钇氧化物的制备领域。所述氧化铟钛钇粉体的化学式为In1‑x‑yTixYyO1.5+0.5x,其中,x=0.001‑0.2、y=0.001‑0.2。本发明氧化铟钛钇粉体的制备方法克服了加入大颗粒稀土金属导致的成分不均一的问题,最终获得粒径分布均匀缺成分均一的氧化铟钛钇粉体,该氧化铟钛钇粉体可以用于制备高密度、组织均匀及光电特异性优异的氧化铟钛钇靶材。

技术领域

本发明涉及一种氧化铟钛钇粉体及其制备方法,属于铟钛钇氧化物的制备领域。

背景技术

由于透明导电薄膜可见光区域高透过率,低电阻率的独特光电学特性,被广泛应用于平板显示器、太阳能电池等光电领域。随着科技新月异的发展,对光电薄膜的需求逐渐增加,对它的性能也提出更高的要求。为了更有效地制备具有理想性能的材料,必须深入了解材料性能与相应的工艺技术的关系,这对于改进材料性能,提高生产率,降低成本是至关重要的。

粉体制备是ITO靶材制备过程的第一个关键工序。目前ITO靶材所用的粉体通常存在粒径分布不均匀、稳定性差、杂质含量高、形状不规则等问题,这给粉体的性能保证以及后续的应用带来极大困难。因此,本发明在现有技术的基础上,对氧化铟粉体的制备方法进行优化,克服了加入大颗粒稀土金属导致的成分不均一的问题,最终获得粒径分布均匀且成分均一的氧化铟钛钇粉体。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种氧化铟钛钇粉体及其制备方法,本发明氧化铟钛钇粉体的制备方法克服了加入大颗粒稀土金属导致的成分不均一的问题,最终获得粒径分布均匀且成分均一的氧化铟钛钇粉体,该氧化铟钛钇粉体可以用于制备高密度、组织均匀及光电特异性优异的氧化铟钛钇靶材。

为实现上述目的,本发明采取的技术方案为:

第一方面,提供一种氧化铟钛钇粉体,所述氧化铟钛钇粉体的化学式为In1-x-yTixYyO1.5+0.5x,其中,x=0.001-0.2、y=0.001-0.2。

在氧化铟中掺杂钛和钇,由于钛和钇的原子半径小,掺杂不会引起氧化铟粒径变大,成分不均一的问题。本发明所制备的氧化铟钛钇粉体的粒径均匀成分均一,可以用于制备高密度、组织均匀及光电特异性优异的氧化铟钛钇靶材。

第二方面,提供一种氧化铟钛钇粉体的制备方法,包括以下步骤:

(1)(1)将氧化钛和第一分散剂依次加入溶剂中,进行预分散,得到预分散液1,将预分散液1进行湿法研磨,得到浆料一;

(2)向步骤(1)所得浆料一中加入氧化钇和第二分散剂,进行预分散,得到预分散液2,将预分散液2进行湿法研磨;得到浆料二;

(3)向步骤(2)所得浆料二中加入氧化铟和第三分散剂,进行预分散,得到预分散液3,将预分散液3进行湿法研磨;得到浆料三;

(4)向步骤(3)所得浆料三中加入粘结剂,进行预分散,得到预分散液4,将预分散液4进行湿法研磨;得到浆料四;

(5)将步骤(4)所得浆料四进行喷雾造粒、混料和筛分,得到氧化铟钛钇粉体。

在氧化铟中掺杂钛和钇,需要先将氧化钛和氧化钇先进行研磨,得到粒径小的氧化钛和氧化钇后,再将其和氧化铟混合,进行研磨,得到氧化铟钛钇粉体。氧化物的研磨顺序取决于钛、钇和氧化铟掺杂的难易程度,同时由于钛、钇的原子半径相差较大,不能同时进行研磨。

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