[发明专利]浮栅存储器的制备方法及浮栅存储器

说明书

本发明提供了一种浮栅存储器的制备方法，包括步骤：S1：刻蚀衬底的部分顶面以形成L型底栅；S2：在所述L型底栅的表面形成阻挡层；S3：在所述阻挡层的最低顶面形成浮栅层，然后在所述浮栅层的顶面形成隧穿层；S4：在所述隧穿层的顶面形成沟道层，然后在所述沟道层顶面形成源极和漏极，所述浮栅存储器进行擦除操作时，所述L型底栅对所述浮栅层进行能带调控以使所述浮栅层的价带提升到所述沟道层的导带上方，此时位于所述浮栅层的价带上的电子通过所述隧穿层到达所述沟道层的导带的几率增大，从而降低所述浮栅存储器的功耗和提高所述浮栅存储器的擦除速度。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种浮栅存储器的制备方法及浮栅存储器。

背景技术

现有技术中，为增强电荷保持性，通常采用宽禁带半导体材料或者功函数较高的金属材料作为浮栅层的材料，然而宽禁带半导体材料或者功函数较高的金属材料容易导致被浮栅层俘获的电荷被擦除的速度很慢。

传统的硅基浮栅存储器具有较大的泄漏电流，从而增大了浮栅存储器的功耗。

因此，有必要开发一种新型的浮栅存储器的制备方法以解决现有技术中存在的上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种浮栅存储器的制备方法，以降低浮栅存储器的功耗和提高浮栅存储器的擦除速度。

为实现上述目的，本发明提供了一种浮栅存储器的制备方法，包括步骤：S1：刻蚀衬底的部分顶面以形成L型底栅；

S2：在所述L型底栅的表面形成阻挡层；

S3：在所述阻挡层的最低顶面形成浮栅层，然后在所述浮栅层的顶面形成隧穿层；

S4：在所述隧穿层的顶面形成沟道层，然后在所述沟道层顶面形成源极和漏极。

本发明的浮栅存储器的制备方法的有益效果在于：通过S1：刻蚀衬底的部分顶面以形成L型底栅，所述L型底栅对所述浮栅层进行能带调控以使所述浮栅层的价带提升到所述沟道层的导带上方，此时位于所述浮栅层的价带上的电子通过所述隧穿层到达所述沟道层的导带的几率增大，从而降低所述浮栅存储器的功耗和提高所述浮栅存储器的擦除速度。

可选的，所述刻蚀衬底的部分顶面以形成L型底栅，包括：

在所述衬底的顶面涂覆光刻胶，然后去除部分所述光刻胶以形成光刻胶结构，然后刻蚀未被所述光刻胶结构覆盖的所述衬底以形成包括第一底栅和第二底栅的L型底栅，所述第二底栅的顶面高于所述第一底栅的顶面。其有益效果在于：有助于所述第二底栅对所述浮栅层进行能带调控，进而降低浮栅存储器的功耗和提高浮栅存储器的擦除速度。

可选的，所述在所述L型底栅的表面形成阻挡层，包括：

在所述第一底栅的顶面形成包括第一阻挡层和第二阻挡层的L型阻挡层，同时在所述第二底栅的顶面形成一字型阻挡层，所述第二阻挡层的顶面高于所述第一阻挡层的顶面，所述第二阻挡层的顶面与所述第二底栅的顶面持平。

可选的，所述在所述阻挡层的最低顶面形成浮栅层，包括：

在所述第一阻挡层的顶面形成材料为二维材料的浮栅层。其有益效果在于：能够提高所述浮栅存储器的可靠性。

可选的，所述在所述阻挡层的最低顶面形成浮栅层，包括：

在所述第一阻挡层的顶面形成顶面与所述第二底栅的顶面相持平的浮栅层。其有益效果在于：有助于所述第二底栅对所述浮栅层进行能带调控，进而降低浮栅存储器的功耗和提高浮栅存储器的擦除速度。

可选的，所述在所述阻挡层的最低顶面形成浮栅层，包括：

在所述第一阻挡层的顶面形成与所述第二阻挡层侧壁接触的浮栅层。其有益效果在于：使得所述浮栅层与所述沟道层不接触，进而提高所述浮栅存储器的可靠性。