[发明专利]一种精简结构的iDAC电路在审
申请号: | 202111530801.5 | 申请日: | 2021-12-14 |
公开(公告)号: | CN114337676A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 王志鹏 | 申请(专利权)人: | 山东芯慧微电子科技有限公司 |
主分类号: | H03M1/74 | 分类号: | H03M1/74 |
代理公司: | 南京行高知识产权代理有限公司 32404 | 代理人: | 李晓 |
地址: | 250102 山东省济南市历城区高*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 精简 结构 idac 电路 | ||
1.一种精简结构的iDAC电路,所述iDAC电路的输入端与电流源连接,其特征在于:所述iDAC电路包括3n+1个PMOS管分别为,M1、M2、……、Mn、Mn+1,P1、P2、……、Pn,Q1、Q2、……、Qn,还包括n个二选一开关S1、S2、……、Sn以及两个NMOS管N1、N2;PMOS管M1、M2、……、Mn、Mn+1的栅端均接地,除PMOS管M1的源端与所述iDAC电路的输入端连接,PMOS管的Mn+1的漏端接地,余下PMOS管的Mn的漏端与PMOS管Mn+1的源端;PMOS管P1、P2、……、Pn,Q1、Q2、……、Qn的栅端均接地,PMOS管P1、P2、……、Pn的源端分别与对应的PMOS管M1、M2、……、Mn的源端连接;PMOS管P1、P2、……、Pn的漏端分别与对应的PMOS管Q1、Q2、……、Qn的源端连接,PMOS管Q1、Q2、……、Q n的漏端分别与对应的二选一开关S1、S2、……、Sn的A端连接,二选一开关S1、S2、……、Sn的B端均接地,二选一开关S1、S2、……、Sn的C端均与NMOS管N1的漏端连接;NMOS管N1的漏端与NMOS管N1的栅端连接,NMOS管N1的源端接地;NMOS管N1的栅端接NMOS管N2的栅端,NMOS管N2的源端接地,NMOS管N2的漏端接iDAC电路的输出端。
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