[发明专利]一种多芯片三维集成扇出型封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种多芯片三维集成扇出型封装结构，其特征在于，包括芯片器件和基板组件；

芯片器件包括载板，所述载板上开设有直槽，直槽内埋设有具有芯片PAD的第一芯片，第一芯片和载板表面上覆盖有一层第一钝化膜层，该第一钝化膜层上设有第一金属再布线层，该第一金属再布线层与第一芯片的芯片PAD电连接；该第一金属再布线层上设有复合塑封结构；该复合塑封结构包括堆叠在一起的塑封层和第二钝化膜层；所述塑封层中设有具有芯片PAD的第二芯片；该复合塑封结构中设有直通孔；该复合塑封结构上设有第二金属再布线层，该第二金属再布线层与第二芯片的芯片PAD电连接，且通过复合塑封结构的直通孔与第一金属再布线层电连接；第二金属再布线层上覆盖有具有导通孔的第三钝化膜层；第三钝化膜层的导通孔中设有第一信号导出结构，该第一信号导出结构与第二金属再布线层电连接；

基板组件包括基板，所述基板的一面上设有第二信号导出结构，另一面上设有至少一层与第二信号导出结构电连接的第三金属再布线层，每层第三金属再布线层上分别覆盖有一层具有导通孔的第四钝化膜层；

芯片器件与基板组件连接，其中，第一信号导出结构与基板的第三金属再布线层电连接。

2.根据权利要求1所述的多芯片三维集成扇出型封装结构，其特征在于，所述复合塑封结构中，塑封层覆盖于第一金属再布线层上，塑封层上设有凹槽，第二芯片埋入该塑封层的凹槽中，第二钝化膜层覆盖于第二芯片以及塑封层上，且所述第二金属再布线层设置于第二钝化膜层上。

3.根据权利要求1所述的多芯片三维集成扇出型封装结构，其特征在于，所述复合塑封结构中，第二钝化膜层覆盖于所述第一金属再布线层上，所述第二芯片贴装于所述第二钝化膜层上，塑封层包封在所述第二芯片上，且所述第二金属再布线层设置于塑封层上。

4.根据权利要求1所述的多芯片三维集成扇出型封装结构，其特征在于，所述第一信号导出结构和第二信号导出结构均为锡球。

5.根据权利要求1所述的多芯片三维集成扇出型封装结构，其特征在于，所述第一信号导出结构通过第一焊盘与第二金属再布线层电连接，所述第二信号导出结构通过第二焊盘与第三金属再布线层电连接。

6.根据权利要求1所述的多芯片三维集成扇出型封装结构，其特征在于，所述芯片器件与基板组件之间还设有填充层。

7.一种多芯片三维集成扇出型封装结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1，提供一载板，在该载板的一面上形成直槽；

S2，提供具有芯片PAD的第一芯片，将第一芯片埋入载板的直槽中，第一芯片的正面向外；

S3，在第一芯片和载板表面上形成第一钝化膜层，并在该第一钝化膜层的对应于第一芯片的芯片PAD的位置进行开口，然后在第一钝化膜层上形成与第一芯片电连接的第一金属再布线层；

S4，在该第一金属再布线层上形成塑封层，并在该塑封层上开设直通孔以及凹槽，然后将具有芯片PAD的第二芯片埋入该凹槽中，然后在塑封层以及第二芯片上形成第二钝化膜层；

或者，在该第一金属再布线层上形成一层第二钝化膜层，并在第二钝化膜层的对应于第一金属再布线层的位置进行开孔，然后在第二钝化膜层上贴装第二芯片，第二芯片的正面向外，然后在该第二芯片上形成将其进行包封的塑封层，并在塑封层上开设与第三钝化膜层上的开孔相通的直通孔；

S5，在第二钝化膜层或塑封层上形成一层第二金属再布线层，然后在该第二金属再布线层上覆盖一层具有导通孔的第三钝化膜层；

S6，在第三钝化膜层的导通孔中形成第一信号导出结构，得到芯片器件；

S7，提供一基板，在基板的一面上形成第二信号导出结构，另一面上形成至少一层与第二信号导出结构电连接的第三金属再布线层，每层第三金属再布线层上分别覆盖有一层具有导通孔的第四钝化膜层，得到基板组件；

S8，将芯片器件的第一信号导出结构与基板组件的第三金属再布线层连接，得到多芯片三维集成扇出型封装结构。