[发明专利]发光显示面板和使用发光显示面板的发光显示装置在审
申请号: | 202111524988.8 | 申请日: | 2021-12-14 |
公开(公告)号: | CN114695452A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 朴恩智;金炅旼;李祉炘 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3233 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 康建峰;杨华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 显示 面板 使用 显示装置 | ||
1.一种发光显示面板,包括:
衬底,所述衬底包括非显示区域和设置有像素的显示区域;
驱动遮光电极,所述驱动遮光电极以图案的形式设置在所述衬底上;
缓冲层,所述缓冲层覆盖所述驱动遮光电极;
像素驱动电路层,所述像素驱动电路层设置在所述缓冲层中,所述像素驱动电路层包括与所述驱动遮光电极连接的驱动晶体管;
平坦化层,所述平坦化层覆盖所述像素驱动电路层;
阳极,所述阳极设置在所述平坦化层中并且与所述驱动遮光电极和所述驱动晶体管连接;
修复线,所述修复线设置在所述平坦化层中;
堤部,所述堤部覆盖所述阳极的外部分以形成暴露所述阳极的开口区域;
发光层,所述发光层设置在所述阳极和所述堤部上;以及
阴极,所述阴极设置在所述发光层上,
其中,所述修复线与设置在所述修复线下方的岛状接触电极连接,并且
至少一个绝缘层设置在所述接触电极下方。
2.根据权利要求1所述的发光显示面板,其中,设置在所述像素中的第一像素中的所述修复线与设置在与所述第一像素相邻的第二像素中的阳极连接。
3.根据权利要求1所述的发光显示面板,其中,所述修复线在穿过钝化层和所述平坦化层的修复接触孔中与所述接触电极连接,所述钝化层设置在所述像素驱动电路层中以覆盖所述驱动晶体管。
4.根据权利要求1所述的发光显示面板,其中,所述修复线通过设置在钝化层、所述平坦化层和所述接触电极中的修复接触孔与所述驱动遮光电极电连接或者与所述驱动晶体管的第一电极电连接,所述钝化层设置在所述像素驱动电路层中以覆盖所述驱动晶体管。
5.根据权利要求4所述的发光显示面板,其中,设置在所述像素中的第一像素中的所述修复线与设置在与所述第一像素相邻的第二像素中的阳极连接,并且
所述修复线与设置在所述第二像素中的像素驱动电路分离。
6.根据权利要求4所述的发光显示面板,其中,所述修复线通过穿过设置在所述像素驱动电路层中以覆盖所述驱动晶体管的所述钝化层、所述平坦化层和所述接触电极的所述修复接触孔与所述驱动遮光电极电连接。
7.根据权利要求4所述的发光显示面板,其中,所述修复线通过穿过设置在所述像素驱动电路层中以覆盖所述驱动晶体管的所述钝化层和所述平坦化层的所述修复接触孔与所述接触电极连接,并且通过通过穿过所述修复接触孔下方的所述绝缘层而凹陷的所述接触电极与所述驱动遮光电极电连接。
8.根据权利要求1所述的发光显示面板,其中,所述驱动晶体管包括:
半导体层,所述半导体层设置在所述缓冲层的上端上;
第一电极,所述第一电极设置在所述半导体层的一侧上并且与所述阳极连接;
第二电极,所述第二电极设置在所述半导体层的另一侧上;
栅极绝缘层,所述栅极绝缘层设置在所述半导体层的上端上;以及
栅极,所述栅极设置在所述栅极绝缘层的上端上,
其中,所述第一电极包括:
有源层,所述有源层设置在所述缓冲层的上端上并且设置在所述半导体层的一侧上;以及
导体层,所述导体层设置在所述有源层的上端上。
9.根据权利要求1所述的发光显示面板,其中,构成所述驱动晶体管的第一电极和所述驱动遮光电极通过设置在驱动接触孔中的阳极线与所述阳极连接,所述驱动接触孔穿过所述平坦化层、所述像素驱动电路层和所述缓冲层。
10.根据权利要求9所述的发光显示面板,其中,所述第一电极和所述接触电极在所述缓冲层的上端上彼此间隔开。
11.根据权利要求10所述的发光显示面板,其中,所述接触电极设置在所述驱动遮光电极的上端上,并且所述缓冲层设置在所述接触电极与所述驱动遮光电极之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的