[发明专利]双面显示面板、双面显示面板的制备方法以及电子设备有效
申请号: | 202111521919.1 | 申请日: | 2021-12-13 |
公开(公告)号: | CN114220837B | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 曹蔚然;周黎斌 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H10K59/123 | 分类号: | H10K59/123;H10K59/121;H10K59/122;H10K59/131;H10K59/126;H10K71/00 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 王芳芳 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双面 显示 面板 制备 方法 以及 电子设备 | ||
1.一种双面显示面板,其特征在于,包括:
发光器件层,所述发光器件层包括多个发光器件;
TFT层,设于所述发光器件层的一侧,所述TFT层包括第一TFT和第二TFT,所述第一TFT与所述发光器件电性连接;
第一遮光导电层,设于所述TFT层远离所述发光器件层的一侧,所述第一遮光导电层与所述第二TFT电性连接;
电致变色层,设于所述第一遮光导电层远离所述TFT层的一侧并与所述第一遮光导电层电性连接;
透光导电层,设于所述电致变色层远离所述第一遮光导电层的一侧并与所述电致变色层电性连接。
2.根据权利要求1所述的双面显示面板,其特征在于,所述TFT层与所述第一遮光导电层之间设有第一基底和第一无机层,其中,所述第一基底靠近所述TFT层设置,所述第一无机层靠近所述第一遮光导电层设置;
所述透光导电层远离所述电致变色层的一侧设有第二基底和第二无机层,其中,所述第二无机层设于所述第一遮光导电层与所述第二基底之间;
所述第一基底和所述第二基底均为柔性基底。
3.根据权利要求2所述的双面显示面板,其特征在于,所述第一基底与所述TFT层之间设有第二遮光导电层,所述第二TFT的源漏极层和所述第一遮光导电层均与所述第二遮光导电层电性连接。
4.根据权利要求3所述的双面显示面板,其特征在于,所述双面显示面板上定义有显示区和绑定区,在所述绑定区,所述电致变色层、所述第一遮光导电层、所述第一无机层和所述第一基底上设有通孔,所述第二遮光导电层的部分区域包覆所述通孔的孔壁并且与位于所述通孔的底部的所述透光导电层接触,所述第二遮光导电层上与所述第一遮光导电层接触的区域和所述第二遮光导电层上与所述透光导电层接触的区域不相连。
5.根据权利要求4所述的双面显示面板,其特征在于,所述通孔包括设于所述电致变色层上的第一过孔、设于所述第一遮光导电层上的第二过孔、设于所述第一无机层上的第三过孔以及设于所述第一基底上的第四过孔,所述第一过孔、所述第二过孔、所述第三过孔和所述第四过孔的横截面积依次增大。
6.根据权利要求2所述的双面显示面板,其特征在于,所述第一无机层的材料和所述第二无机层的材料均包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的双面显示面板,其特征在于,所述第一遮光导电层的材料包括金属;和/或
所述透光导电层的材料包括透明导电金属氧化物。
8.根据权利要求7所述的双面显示面板,其特征在于,所述第一遮光导电层的材料包括银、钼、钛和铜中的至少一种;和/或
所述透光导电层的材料包括氧化铟锡。
9.根据权利要求1所述的双面显示面板,其特征在于,所述发光器件为OLED。
10.根据权利要求1所述的双面显示面板,其特征在于,所述电致变色层包括多个间隔设置的电致变色单元,所述第一遮光导电层包括多个导电单元,每个所述电致变色单元与一个所述导电单元对应设置且电性连接,每个所述导电单元与一个所述第二TFT的源漏极层电性连接。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的双面显示面板,其特征在于,所述TFT层还包括第三TFT,所述第三TFT的漏极连接所述第二TFT的栅极,所述第二TFT的源极连接驱动电源,所述第二TFT的漏极连接所述电致变色层。
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