[发明专利]顶部圆角沟槽隔离结构的制造方法

权利要求书

1.一种顶部圆角沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述顶部圆角沟槽隔离结构的制造方法包括以下依次执行的步骤：

提供硅衬底层，所述硅衬底层上定义有沟槽隔离结构窗口；

基于所述沟槽隔离结构窗口，对所述硅衬底层进行刻蚀，使得所述硅衬底层中形成第一浅沟槽结构，所述第一浅沟槽结构的顶角形成第一尺寸圆角；

对所述第一浅沟槽结构的第一尺寸圆角进行刻蚀，使得所述第一尺寸圆角的直径缩小形成第二尺寸圆角；

基于所述沟槽隔离结构窗口继续刻蚀所述硅衬底层，使得带有所述第二尺寸圆角的第一浅沟槽结构向下延伸形成沟槽结构。

2.如权利要求1所述的顶部圆角沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述基于所述沟槽隔离结构窗口，对所述硅衬底层进行刻蚀，使得所述硅衬底层中形成第一浅沟槽结构，所述第一浅沟槽结构的顶角形成第一尺寸圆角步骤中，所述第一尺寸圆角具有第一直径；

所述第一直径的范围为大于27nm。

3.如权利要求1所述的顶部圆角沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述对所述第一浅沟槽结构的第一尺寸圆角进行刻蚀，使得所述第一尺寸圆角的直径缩小形成第二尺寸圆角的步骤中，所述第二尺寸圆角具有第二直径；

所述第二直径的范围为大于等于13nm且小于等于23nm。

4.如权利要求1所述的顶部圆角沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述对所述第一浅沟槽结构的第一尺寸圆角进行刻蚀，使得所述第一尺寸圆角的直径缩小形成第二尺寸圆角的步骤，包括：

采用高选择比的含氟刻蚀气体对所述第一浅沟槽结构的第一尺寸圆角进行刻蚀，使得所述第一尺寸圆角的直径缩小形成第二尺寸圆角。

5.如权利要求4所述的顶部圆角沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述采用含氟刻蚀气体，以高刻蚀选择比对所述第一浅沟槽结构的第一尺寸圆角进行刻蚀，使得所述第一尺寸圆角的直径缩小形成第二尺寸圆角的步骤中，所述含氟刻蚀气体包括四氟化碳CF4，三氟甲烷CHF3,二氟甲烷CH2F2,八氟环丁烷C4F8，三氟化氮NF3，氟甲烷CH3F中的任意一种或任意多种的组合。

6.如权利要求4所述的顶部圆角沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述采用含氟刻蚀气体，以高刻蚀选择比对所述第一浅沟槽结构的第一尺寸圆角进行刻蚀，使得所述第一尺寸圆角的直径缩小形成第二尺寸圆角的步骤中，所述高刻蚀选择比为对所述沟槽隔离结构窗口的刻蚀速率，与对所述硅衬底层的刻蚀速率的比值大于7。

7.如权利要求6所述的顶部圆角沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，通过掩模结构定义出所述沟槽隔离结构窗口；

所述对所述沟槽隔离结构窗口的刻蚀速率为对所述掩模结构的刻蚀速率。

8.如权利要求4所述的顶部圆角沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述采用含氟刻蚀气体，以高选择比对所述第一浅沟槽结构的第一尺寸圆角进行刻蚀，使得所述第一尺寸圆角的直径缩小形成第二尺寸圆角的步骤，包括：

采用含氟刻蚀气体，以高选择比对所述第一浅沟槽结构的第一尺寸圆角进行刻蚀时长小于10s的刻蚀操作，使得所述第一尺寸圆角的直径缩小形成第二尺寸圆角。