[发明专利]一种激光发射器、激光雷达装置及终端设备

说明书

本发明实施例提供了一种激光发射器、激光雷达装置及终端设备，该激光发射器包括衬底、电路基板以及至少一个第一激光芯片；在平行于所述衬底的方向上，所述电路基板和所述第一激光芯片间隔设置在所述衬底上；所述衬底的导热率大于所述电路基板的导热率。本发明实施例提供的激光发射器、激光雷达装置及终端设备，能够提升雷达发射端的光脉冲峰值功率，进而可以有效的提升激光雷达的测距范围。

技术领域

本发明涉及激光发射技术领域，尤其涉及一种激光发射器，及包括该激光发射器的激光雷达装置，以及包括该激光雷达装置的终端设备。

背景技术

目前市场上激光雷达的方案架构很多，但不管使用何种架构的激光雷达，光源是脉冲光源还是连续波光源，最终都会有提升极限测距距离的需求，在激光雷达测距过程中，需要接收端接收到大于一定值的信号功率，而激光雷达的极限测距能力与激光器峰值功率的大小成正比，因此要提升极限距离，可以从提高激光器的发射功率来进行调整。因而，一款高峰值功率的激光器，是激光雷达设计中最基础而重要的一环。

目前市场上可以采购到的发射端器件，如半导体激光器、驱动场效应管以及对应的电阻电容等，受限于系统尺寸与功耗等的限制，其标称指标如激光器典型发射功率，场效应管最大漏极电流等的可选范围有限，因而在现有可选器件的基础上，如何进一步提升激光器峰值功率，以及在系统尺寸与功耗等限制条件下，如何发挥器件的极限能力，是目前激光雷达行业内发射端功率提升的主要方向。

发明内容

为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种激光发射器，该激光发射器包括衬底、电路基板以及至少一个第一激光芯片；

在平行于所述衬底的方向上，所述电路基板和所述第一激光芯片间隔设置在所述衬底上；

所述衬底的导热率大于所述电路基板的导热率。

优选地，还包括散热垫片，所述散热垫片设置在所述第一激光芯片与所述衬底之间；

所述散热垫片的导热率大于所述衬底的导热率。

优选地，还包括至少一个场效应管和至少一个电容；在垂直于所述衬底的方向上，所述电路基板包括第一导体层、第二导体层以及设置在所述第一导体层和所述第二导体层之间的绝缘层，所述第一导体层和所述第二导体层通过所述绝缘层中的过孔电连接；

所述场效应管和所述电容均电连接于所述第一导体层上。

优选地，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一激光芯片背离所述衬底的表面与所述衬底底面之间的高度H1与所述电容背离所述衬底的表面与所述衬底底面之间的高度H2之间的关系满足：

0.9H1≤H2≤1.1H1。

优选地，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一激光芯片朝向所述衬底的表面与所述衬底底面之间的高度H3与所述第一导体层背离所述衬底的表面与所述衬底底面之间的高度H4之间的关系满足：

0.9H3≤H4≤1.1H3。

优选地，还包括至少一个第二激光芯片，所述第二激光芯片电连接于所述第一导体层上。

优选地，所述电容与所述第一激光芯片通过导电带电连接；沿所述电容与所述第一激光芯片之间的间隙的延伸方向，所述导电带的宽度W1和所述电容的宽度W2之间的关系满足：

W1≤W2。

优选地，所述衬底包括相邻设置的第一区域和第二区域，所述电路基板设置在所述第一区域，所述激光芯片设置在所述第二区域；

在垂直于所述衬底的方向上，所述第一区域中所述衬底的高度小于等于所述第二区域中所述衬底的高度。

本发明实施例还提供一种激光雷达装置，所述激光雷达装置包括如本发明实施例中所述的激光发射器。