[发明专利]一种用于有机硅粗单体分离系统的逆序顺流节能方法及装置

权利要求书

1.一种用于有机硅粗单体分离系统的逆序顺流节能装置，其特征是包括如塔系统：脱高塔、高沸塔、高压二甲塔、低压二元塔、一甲塔、轻分塔、一甲含氢塔、共沸塔和三甲塔；其中，脱高塔不设冷凝器，塔顶高温气相直通到高压二甲塔塔釜再沸器中供热；高压二甲塔也不设冷凝器，塔顶高温气相直通到低压二元塔塔釜再沸器中供热。

2.一种用于有机硅粗单体分离系统的逆序顺流节能方法，其特征是采用权利1所述逆序顺流节能装置，包括如下步骤：首先将送入系统的粗单体经过脱高塔及高沸塔系统除去高沸物，之后首先进入高压二甲塔系统，从塔釜得到部分合格的二甲产品，塔顶得到剩余二甲产品和粗一甲产品的混合物，送入到低压二元塔中，之后再在低压二元塔中彻底分离二甲产品与粗一甲产品，塔顶粗一甲送至一甲塔系统采出一甲产品，之后再经轻分塔、含氢塔、共沸塔、三甲塔依次采出低沸物、一甲含氢、共沸物、三甲产品；同时，通过调节高压二甲塔塔顶的温度来控制塔顶采出量，使高压二甲塔的塔顶物料冷凝热恰巧足够用来给低压二元塔塔底再沸器供热，实现脱高塔塔顶高温气相直接给高压二甲塔塔釜供热、高压二甲塔塔顶高温气相直接给低压二元塔塔釜供热。

3.如权利要求2所述的一种用于有机硅粗单体分离系统的逆序顺流节能方法，其特征是高压二元塔的塔顶采出量和进料量的质量比控制在0.2～0.65之间。

4.如权利要求2所述的一种用于有机硅粗单体分离系统的逆序顺流节能方法，其特征是脱高塔与高压二甲塔、高压二甲塔与低压二元塔的温度差不小于5℃。

5.如权利要求2所述的一种用于有机硅粗单体分离系统的逆序顺流节能方法，其特征是脱高塔的操作压力控制在0.25MPaG～0.8MPaG之间，理论板数控制在50-200之间。

6.如权利要求2所述的一种用于有机硅粗单体分离系统的逆序顺流节能方法，其特征是高压二甲塔的操作压力控制在0.05MPaG～0.45MPaG之间，理论板数控制在200～500之间。

7.如权利要求2所述的一种用于有机硅粗单体分离系统的逆序顺流节能方法，其特征是低压二元塔的操作压力控制在0.02MPaG～0.25MPaG之间，理论板数控制在200～500之间。