[发明专利]光刻胶层的处理方法及光刻胶层

说明书

本公开提供了一种光刻胶层的处理方法及光刻胶层，处理方法包括：在目标层上形成光刻胶层，光刻胶层包括远离目标层的第一部分和靠近目标层的第二部分；采用第一工艺对光刻胶层进行处理，以使第一部分的光吸收率小于第二部分的光吸收率；对光刻胶层进行第一曝光处理，在第二部分形成曝光图像；剥离第一部分并对光刻胶层进行第一显影处理，以图案化第二部分为光刻胶图案。在本公开中，在第二部分中形成曝光图像后去除第一部分，避免第一部分的存在导致光刻胶图案的顶端形貌不符合预期的问题。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种光刻胶层的处理方法及光刻胶层。

背景技术

光刻工艺(Photolithography Process)是制作集成电路(Integrated Circuit简称IC)最重要的工艺步骤之一，光刻工艺用于在半导体衬底上形成期望的图案，随着集成电路工艺的发展以及半导体元件的特征尺寸(Critical Dimension)的不断缩小，对光刻工艺的精度的要求越来越高。

发明内容

以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开提供一种光刻胶层的处理方法及光刻胶层。

本公开的第一方面提供了一种光刻胶层的处理方法，所述处理方法包括：

在目标层上形成光刻胶层，所述光刻胶层包括远离所述目标层的第一部分和靠近所述目标层的第二部分；

采用第一工艺对所述光刻胶层进行处理，以使所述第一部分的光吸收率小于所述第二部分的光吸收率；

对所述光刻胶层进行第一曝光处理，在所述第二部分形成曝光图像；

剥离所述第一部分并对所述光刻胶层进行第一显影处理，以图案化所述第二部分为光刻胶图案。

根据本公开的一些实施例，所述采用第一工艺对所述光刻胶层进行处理，以使所述第一部分的光吸收率小于所述第二部分的光吸收率，包括：

采用第一工艺对所述第一部分进行处理，所述第一部分的光致酸产生剂反应形成光致酸生成物，处理后的所述第一部分的光致酸产生剂浓度比所述第二部分的光致酸产生剂浓度低。

根据本公开的一些实施例，所述采用第一工艺对所述第一部分进行处理，包括：

自所述光刻胶层的顶面向所述第一部分注入氨基离子，所述氨基离子的注入深度为第一深度，所述第一深度与所述第一部分的厚度相等。

根据本公开的一些实施例，所述采用第一工艺对所述第一部分进行处理，包括：

向所述光刻胶层的顶面喷涂碱性气体，以使所述第一部分的光致酸产生剂与所述碱性气体反应成为光致酸生成物。

根据本公开的一些实施例，所述采用第一工艺对所述光刻胶层进行处理，以使所述第一部分的光吸收率小于所述第二部分的光吸收率，包括：

加热所述目标层，通过所述目标层加热所述光刻胶层，以使所述第二部分的温度比所述第一部分的温度高。

根据本公开的一些实施例，所述剥离所述第一部分，包括：

采用第二工艺对所述第一部分进行处理，并剥离被第二工艺处理后的所述第一部分。

根据本公开的一些实施例，所述采用第二工艺对所述第一部分进行处理，包括：

自所述光刻胶层的顶面向所述光刻胶层中注入氢离子，所述氢离子的注入深度为第二深度，所述第二深度与所述第一部分的厚度相等。

根据本公开的一些实施例，所述采用第二工艺对所述第一部分进行处理，包括：