[发明专利]一种提升绝缘隔离效果的背接触异质结太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种提升绝缘隔离效果的背接触异质结太阳能电池，其特征在于：它包括第一主面划分为第一导电型的第一导电区和第二导电型的第二导电区的半导体基板、蚀刻第一导电区内部区域的半导体基板形成的第一导电区凹槽以及蚀刻第二导电区的半导体基板形成的第二导电区凹槽；所述第一导电区中与第二导电区交界区域未被蚀刻形成凸沿。

2.根据权利要求1所述的提升绝缘隔离效果的背接触异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一导电区覆盖有第一导电型膜层，所述第一导电区凸沿部的第一导电型膜层表面覆盖有第一绝缘膜层；所述第二导电区与第一绝缘膜层上覆盖有第二导电型膜层。

3.根据权利要求2所述的提升绝缘隔离效果的背接触异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一绝缘膜层包括以第一导电型膜层为基底从底到面依次设置的第一绝缘层和第一掩膜层。

4.根据权利要求2-3任意一项所述的提升绝缘隔离效果的背接触异质结太阳能电池，其特征在于：它还包括设置在第一导电区上且与第一导电型膜层电连接的第一导电层、设置在第一导电层上的第一电极、设置在第二导电区上且与第二导电型膜层电连接的第二导电层以及设置在第二导电层上的第二电极；所述第一导电层与第二导电层之间设有绝缘分隔槽。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的提升绝缘隔离效果的背接触异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：将半导体基板的第一主面划分为第一导电型的第一导电区和第二导电型的第二导电区；对半导体基板第一主面的第一导电区内部区域进行蚀刻形成第一导电区凹槽，对半导体基板第一主面的第二导电区进行蚀刻形成第二导电区凹槽。

6.根据权利要求5所述的提升绝缘隔离效果的背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于：它的步骤如下，

步骤A，在半导体基板第一主面对除与第二导电区交界区域外的第一导电区部分区域进行蚀刻形成第一导电区凹槽；

步骤B，在半导体基板的第一主面依次形成第一导电型膜层和第一绝缘膜层；

步骤C，蚀刻除去第一导电区以外区域的第一绝缘膜层和第一导电型膜层，并蚀刻随之外露的半导体基板第一主面，以形成表面附着有第一绝缘膜层的第一导电区以及外露的第二导电区凹槽。

7.根据权利要求6所述的提升绝缘隔离效果的背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于：所述步骤A的具体方法如下，对需形成第一导电区凹槽的第一导电区区域进行激光蚀刻，然后进行化学蚀刻以在除与第二导电区交界区域外的第一导电区区域形成第一导电区凹槽；所述第一导电区凹槽的深度为10-50um。

8.根据权利要求6所述的提升绝缘隔离效果的背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于：所述步骤C的具体方法如下，对第二导电区覆盖的第一绝缘膜层进行激光蚀刻，然后进行化学蚀刻除去覆盖在第二导电区上的膜层并刻蚀半导体基板，以在半导体基板第一主面形成第二导电区凹槽；所述第二导电区凹槽的深度为10-50um。

9.根据权利要求8所述的提升绝缘隔离效果的背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于：所述第一绝缘膜层由以第一导电型膜层为基底从底到面依次形成第一绝缘层和第一掩膜层构成；所述步骤C的具体方法如下，对第二导电区覆盖的第一掩膜层进行激光蚀刻，然后进行化学蚀刻除去覆盖在第二导电区上的第一绝缘层、第一导电膜层并刻蚀半导体基板，以在半导体基板第一主面形成第二导电区凹槽。

10.根据权利要求5-9任意一项所述的提升绝缘隔离效果的背接触异质结太阳能电池制作方法，其特征在于：它还包括步骤如下，

步骤D，在经步骤C处理的半导体基板的第一主面形成第二导电型膜层；

步骤E，蚀刻除去覆盖在第一导电区凹槽区域的第二导电型膜层和第一绝缘膜层；

步骤F，在半导体基板的第一主面形成导电膜层；

步骤G，在未蚀刻第一导电区凹槽的第一导电区区域进行第一导电区和第二导电区之间绝缘分隔的开槽以及形成第一导电区的第一电极和第二导电区的第二电极。