[发明专利]一种Mn、Fe共掺碲化铋的单晶制备方法在审

专利信息
申请号: 202111508711.6 申请日: 2021-12-10
公开(公告)号: CN114164494A 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 秦佳佳;赵勇;刘禹彤;周大进 申请(专利权)人: 福建师范大学
主分类号: C30B29/46 分类号: C30B29/46;C30B9/06
代理公司: 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 代理人: 戴雨君
地址: 350108 福建省福州*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 mn fe 共掺碲化铋 制备 方法
【说明书】:

发明公开了一种Mn、Fe共掺碲化铋的单晶制备方法,该制备方法包括如下三个步骤:①.按照原子比混合制备α‑MnFeTe多晶样品;②.按照化学计量比混合制备Bi2Te3单晶样品;③.将α‑MnFeTe多晶样品和Bi2Te3单晶样品粉碎成粉末作为前驱体,再将二者按照1:5.85的摩尔比混合,在一定时间加热至950℃并保温,然后缓慢冷却至580℃‑600℃后冷却淬火,从而获得高质量的Mn、Fe共掺Bi2Te3单晶。本发明提供的制备方法工艺简单,成本价低。

技术领域

本发明属于材料技术领域,尤其涉及一种Mn、Fe共掺Bi2Te3的单晶制备方法。

背景技术

近些年来,拓扑绝缘体已经成为凝聚态物理领域的一个重要研究方向。拓扑绝缘体(TIs)在内部是绝缘的,但表面导电或具有边缘态,这些状态是受反转和时间反转对称性保护的狄拉克费米子。Bi2Te3晶体作为一种三维拓扑绝缘体引起了极大的关注,其特点是无质量狄拉克费米子的绝缘体态和导电表面态的结合。方便地获得高质量的Bi2Te3单晶一直受到热电半导体和拓扑绝缘体领域研究人员的高度重视。制备Bi2Te3单晶的方法也不断被提出,如分子束外延、电化学沉积等,但晶体的性能在一定程度上被限制。

发明内容

鉴于以上原因,本发明提供一种Mn、Fe共掺Bi2Te3的单晶制备方法。

为了实现上述目的,本发明采用的技术方案为:

一种Mn、Fe共掺Bi2Te3的单晶制备方法,包括以下步骤:

(1).制备α-MnFeTe多晶样品:将纯度为99.8%的Fe粉、99.9%的Mn粉和99.99%的Te粉按照原子比称重配料,在充满氩气的环境下进行研磨,之后压成一个小圆片放入坩埚并密封在石英管中,石英管在管式炉中加热680-720℃并保温一定时间;

(2).制备Bi2Te3单晶样品:将纯度为99.99%的Bi粉和99.99%的Te粉按照化学计量比称重配料,在充满氩气的环境下进行研磨,之后压成一个小圆片放入坩埚并密封在石英管中,石英管在管式炉中加热到850℃并保温18-22h,之后再以一定的速率降温到530-550℃进行保温;

(3).制备Mn、Fe共掺的Bi2Te3单晶:将α-MnFeTe多晶样品和Bi2Te3单晶样品在充满氩气的环境下粉碎成粉末作为前驱体,再将二者按照1:5.85的摩尔比混合,在一定时间加热至950℃并保温,然后以一定的速率缓慢冷却至580℃-600℃后冷却淬火。

步骤(1)中,Fe粉、Mn粉、Te粉按照0.90-0.95:0.05-0.10:1的原子比进行配料;步骤(2)中,Bi粉和Te粉按照2:3的化学计量比进行配料。

步骤(1)的保温时间为22-26h,步骤(3)的保温时间为12-14h。

步骤(3)中,以10-15℃/h的速率冷却。

本发明以Bi粉、Te粉、Mn粉和Fe粉为原料,通过溶剂生长法,制备出结晶性能好、大块的Mn、Fe共掺Bi2Te3单晶。该方法不仅工艺简单,而且能够制备出高质量的单晶。

附图说明

图1为本发明实施例1制备的Mn掺杂Bi2Te3单晶样品和实施例2制备的Mn、Fe共掺Bi2Te3单晶样品的XRD衍射结果。

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