[发明专利]一种透明薄片状缺陷的检测方法在审

专利信息
申请号: 202111505957.8 申请日: 2021-12-10
公开(公告)号: CN114280080A 公开(公告)日: 2022-04-05
发明(设计)人: 郭东旭;宁威;米琳 申请(专利权)人: 华虹半导体(无锡)有限公司
主分类号: G01N21/958 分类号: G01N21/958;G01N21/01
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 刘昌荣
地址: 214028 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 透明 薄片 缺陷 检测 方法
【说明书】:

发明提供一种透明薄片状缺陷的检测方法,其中,包括以下步骤:提供一具有透明薄片状缺陷的检测样品;将所述检测样品置于暗场扫描机台中,并观察获得的扫描图像,转动所述检测样品,并改变所述暗场扫描机台的光源入射角,直至所述扫描图像噪点减少;改变所述光源的偏振参数,直至所述透明薄片状缺陷于所述扫描图像中亮度增强。本发明技术方案的有益效果为:可降低暗场扫描机台扫描图像的噪声,并增强透明薄片状缺陷的亮度,使透明薄片状缺陷可以被有效的检测到。

技术领域

本发明涉及半导体测试技术领域,尤其涉及一种透明薄片状缺陷的检测方法。

背景技术

对半导体制造业而言,在生产制造过程中产生的缺陷是引起芯片可靠性以及制造良率降低的最主要原因,因此如何有效的检测在线缺陷在半导体制造过程中有着重要的意义。

现有技术中,检测透明薄片状缺陷通常通过暗场扫描机台进行,而暗场扫描机台的扫描图像信噪比较低,且透明薄片状缺陷无法对暗场扫描机台的光源产生散射,因此在缺陷亮度不足的情况下很难与噪声进行区分,从而无法有效的对透明薄片状缺陷进行检测。

发明内容

针对现有技术中存在的上述问题,现提供一种透明薄片状缺陷的检测方法。具体技术方案如下:

一种透明薄片状缺陷的检测方法,其中,包括以下步骤:

步骤S1,提供一具有透明薄片状缺陷的检测样品;

步骤S2,将所述检测样品置于暗场扫描机台中,并观察获得的扫描图像;

步骤S3,转动所述检测样品,并改变所述暗场扫描机台的光源入射角,直至所述扫描图像噪点减少;

步骤S4,改变所述光源的偏振参数,直至所述透明薄片状缺陷于所述扫描图像中亮度增强。

优选的,所述检测样品为晶圆。

优选的,所述步骤S3中,根据所述检测样品上的图形走向转动所述检测样品。

优选的,所述步骤S3中,还包括以下步骤:

步骤S31,选取一预定角度做为转动步长;

步骤S32,向同一方向以所述转动步长转动所述检测样品;

步骤S33,选取一所述暗场扫描机台的光源入射角;

步骤S34,观察所述扫面图像;

步骤S35,是否还有没有使用过的所述光源入射角,如有则选取一没有使用过的所述光源入射角后回到所述步骤S34;

步骤S36,所述检测样品的累计转动角度是否大于等于360°,如否则回到所述步骤S32;

步骤S37,获取所述扫描图像噪点最小时,所述检测样品的角度及所述暗场扫描机台的光源入射角。

优选的,所述步骤S31中,于5°-90°范围内选取所述预定角度。

优选的,所述步骤S4中,还包括以下步骤:

步骤S41,以所述步骤S37中获取的所述角度转动所述检测样品,以及以所述步骤S37中获取的所述光源入射角调整所述暗场扫描机台的光源入射角;

步骤S42,选取一所述暗场扫描机台的光源偏振参数;

步骤S43,观察所述扫面图像;

步骤S44,是否还有没有使用过的所述光源偏振参数,如有则选取一没有使用过的所述光源偏振参数后回到所述步骤S43;

步骤S45,获取所述扫描图像中所述透明薄片状缺陷的亮度最强时,所述暗场扫描机台的光源偏振参数。

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