[发明专利]一种单腔三模陶瓷波导谐振器及滤波器有效

专利信息
申请号: 202111505919.2 申请日: 2021-12-10
公开(公告)号: CN114156618B 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 梁飞;蒙顺良;尹宇豪;张榕;吕文中;王晓川 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01P1/208 分类号: H01P1/208
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 单腔三模 陶瓷 波导 谐振器 滤波器
【说明书】:

发明公开了一种单腔三模陶瓷波导谐振器及滤波器,属于微波通信技术领域。谐振器包括:陶瓷波导谐振器本体,以及位于本体表面的三个调谐盲孔和三个耦合盲孔,其中,调谐盲孔A1和耦合盲孔B1、B2相对设置在本体的上下表面,调谐盲孔A2、A3及耦合盲孔B3设置在四个侧面;所述耦合盲孔B3的深度小于调谐盲孔A2、A3的深度;所述调谐盲孔A1用以调整该谐振器TE101模式的谐振频率,所述调谐盲孔A2、A3分别用于调整两个准TEM模的谐振频率;所述耦合盲孔B1、B2分别用来调整该谐振器TE101模式与两个准TEM模的耦合带宽,所述耦合盲孔B3用来调整两个准TEM模之间的耦合带宽。本发明缩小了陶瓷波导滤波器的体积,并提高了滤波器的带外抑制特性。

技术领域

本发明属于微波通信技术领域,更具体地,涉及一种单腔三模陶瓷波导谐振器及滤波器。

背景技术

当代通信技术的快速发展和有限的频谱资源都对基站滤波器的体积和性能提出了更高的要求。陶瓷波导滤波器凭借其小体积、高性能等独特优势成为了当前5G基站滤波器的主流选择。为进一步减小滤波器的体积,陶瓷波导滤波器通常需要利用单腔多模谐振器完成设计;在另一方面,为有效提高滤波器的带外抑制特性,设计者需要构造CT或者容性CQ耦合结构来产生传输零点。

现有技术中小型化陶瓷波导滤波器的设计主要是利用单腔双模陶瓷波导谐振器实现。相较于单腔单模陶瓷波导谐振器,该技术的器件体积减小率最高可达到50%,但若需要产生传输零点则需要两个以上谐振器才能实现;另外,如果需要在通带的低频和高频端都产生传输零点,则需要四个谐振器组成容性CQ耦合结构才能够满足要求。因此,该技术难以同时满足小体积和高带外抑制特性要求。

发明内容

针对现有技术的缺陷,本发明的目的在于提供一种单腔三模陶瓷波导谐振器及滤波器,其目的在于缩小陶瓷波导滤波器的体积,并提高滤波器的带外抑制特性。

为实现上述目的,按照本发明的一个方面,提供了一种单腔三模陶瓷波导谐振器,包括:陶瓷波导谐振器本体,以及位于本体表面的三个调谐盲孔和三个耦合盲孔,其中,调谐盲孔A1和耦合盲孔B1、B2相对设置在本体的上下表面,调谐盲孔A2、A3及耦合盲孔B3设置在四个侧面;所述耦合盲孔B3的深度小于调谐盲孔A2、A3的深度;

所述调谐盲孔A1用以调整该谐振器TE101模式的谐振频率,所述调谐盲孔A2、A3分别用于调整两个准TEM模的谐振频率;

所述耦合盲孔B1、B2分别用来调整该谐振器TE101模式与两个准TEM 模的耦合带宽,所述耦合盲孔B3用来调整两个准TEM模之间的耦合带宽。

进一步地,所述调谐盲孔A2、A3位于同一个侧面,所述耦合盲孔B3 位于所述调谐盲孔A2、A3之间。

进一步地,所述调谐盲孔A2、A3位于相邻的两个侧面。

进一步地,所述调谐盲孔A2、A3位于相对的两个侧面。

进一步地,所述调谐盲孔A2、A3的孔深为其对应的两个准TEM模的四分之一波长。

进一步地,所述陶瓷波导谐振器本体由介电材料制成。

进一步地,所述陶瓷波导谐振器本体的外表面具有导电金属镀层。

按照本发明的另一个方面,提供了一种陶瓷波导滤波器,包括至少两个陶瓷波导谐振器,所述陶瓷波导谐振器之间通过介质连接块耦合,所述陶瓷波导谐振器至少一个是第一方面任意一项所述的单腔三模陶瓷波导谐振器。

进一步地,所述陶瓷波导谐振器至少一个是单腔单模谐振器或单腔双模谐振器。

进一步地,所述介质连接块由陶瓷材料制成。

总体而言,通过本发明所构思的以上技术方案,能够取得以下有益效果:

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