[发明专利]一种沉水植物种植装置和污染底泥的修复方法

权利要求书

1.一种沉水植物种植装置，其特征在于，其底部具有锥形结构，顶部具有中空帽形结构，其内设置有用于放置第一控氮材料的第一容置腔室和用于放置第二控氮材料和沉水植物的第二容置腔室，且第一容置腔室靠近底部一侧，第二容置腔室靠近顶部一侧，所述第一控氮材料的粒径小于等于所述第二控氮材料的粒径，所述沉水植物种植装置包括具有锥形结构的第一锥形体，第一容置腔室位于所述第一锥形体内；还包括：第二锥形体，位于第一锥形体的顶部，第二容置腔室位于第二锥形体内，所述第二锥形体的顶端向远离第一锥形体的方向延伸设置有中空帽形结构的第二罩体；或者，

还包括：具有中空帽形结构的第一罩体，所述第一锥形体的顶端设置有隔离板，所述第一罩体的内侧壁与第一锥形体的顶端抵接且第一罩体与隔离板之间形成第二容置腔室，所述第一控氮材料的粒径为0.5-1cm，所述第二控氮材料的粒径为0.8-2cm，所述的沉水植物种植装置的制备方法包括如下步骤：

S1步骤：将底泥和红土分别经干燥、焙烧和过筛得到底泥粉体和红土粉体；

S2步骤：将沸石粉体与S1步骤得到的底泥粉体和红土粉体混合，加水，制得泥浆；

S3步骤：将S2步骤得到的泥浆注入模具中成型，干燥，去除模具，得到沉水植物种植装置的初步制品；

S4步骤：将S3步骤得到的沉水植物种植装置的初步制品焙烧，组装，制得沉水植物种植装置。

2.根据权利要求1所述的沉水植物种植装置，其特征在于，所述沉水植物种植装置的第一锥形体、第二锥形体、第二罩体的侧壁上或者所述沉水植物种植装置的第一锥形体、第一罩体的侧壁上以及隔离板上均设置有若干网孔。

3.根据权利要求2所述的沉水植物种植装置，其特征在于，网孔的孔径为0.1-0.5mm。

4.根据权利要求1所述的沉水植物种植装置，其特征在于，S2步骤中，底泥粉体、红土粉体与沸石粉体的质量比为40-60:30-40:10-20。

5.根据权利要求4所述的沉水植物种植装置，其特征在于，S2步骤中，底泥粉体、红土粉体与沸石粉体的质量比为50:35:15。

6.根据权利要求1所述的沉水植物种植装置，其特征在于，S1步骤和/或S4步骤中，焙烧工艺的温度为500-800℃。

7.根据权利要求6所述的沉水植物种植装置，其特征在于，S1步骤和/或S4步骤中，焙烧工艺的温度为600℃。

8.根据权利要求1所述的沉水植物种植装置，其特征在于，S3步骤中，成型工艺的温度为300-600℃。

9.根据权利要求8所述的沉水植物种植装置，其特征在于，S3步骤中，成型工艺的温度为400℃。

10.一种污染底泥的修复方法，其特征在于，采用权利要求1-9中任一所述的沉水植物种植装置进行修复。

11.根据权利要求10所述的污染底泥的修复方法，其特征在于，使用前将第一控氮材料置于沉水植物种植装置的第一容置腔室，将第二控氮材料置于沉水植物种植装置的第二容置腔室，将沉水植物定植于第二控氮材料之间，然后将沉水植物种植装置的底部伸入待修复底泥中。

12.根据权利要求10所述的污染底泥的修复方法，其特征在于，所述沉水植物选自菹草、狐尾藻、金鱼藻、苦草、黑藻、微齿眼子菜、竹叶眼子菜、篦齿眼子菜中的一种或几种。