[发明专利]一种图形化复合衬底、制备方法和LED外延片

权利要求书

1.一种图形化复合衬底，其特征在于，包括：

蓝宝石衬底；

多个微结构凸起，位于所述蓝宝石衬底上，所述微结构凸起包括掺氟二氧化硅，所述掺氟二氧化硅的折射率小于所述二氧化硅的折射率。

2.根据权利要求1所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述微结构凸起为DBR微结构凸起，所述DBR微结构凸起包括周期层叠的二氧化硅层和掺氟二氧化硅层，所述掺氟二氧化硅层的折射率小于所述二氧化硅层的折射率。

3.根据权利要求2所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述掺氟二氧化硅层中氟原子的掺杂浓度范围为5％-15％。

4.根据权利要求2所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述掺氟二氧化硅层的折射率范围为1.34-1.46。

5.根据权利要求2所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度范围为60-90nm，所述掺氟二氧化硅层的厚度范围为70-100nm。

6.根据权利要求2所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述DBR微结构凸起的厚度范围为2.0-4.0μm。

7.一种图形化复合衬底的制备方法，其特征在于，包括：

提供一平片蓝宝石衬底；

在所述平片蓝宝石衬底上形成多个微结构凸起，所述微结构凸起包括掺氟二氧化硅，所述掺氟二氧化硅的折射率小于所述二氧化硅的折射率。

8.根据权利要求7所述的图形化复合衬底的制备方法，其特征在于，所述微结构凸起为DBR微结构凸起；在所述平片蓝宝石衬底上形成多个微结构凸起，包括：

在所述平片蓝宝石衬底上形成DBR膜层，所述DBR膜层包括周期层叠的二氧化硅层和掺氟二氧化硅层，所述掺氟二氧化硅层的折射率小于所述二氧化硅层的折射率；

图形化所述DBR膜层，形成多个DBR微结构凸起。

9.根据权利要求8所述的图形化复合衬底的制备方法，其特征在于，在所述平片蓝宝石衬底上形成DBR膜层，包括：

采用等离子体增强化学气相沉积、真空热蒸镀或磁控溅射工艺，依次交替沉积所述二氧化硅层和所述掺氟二氧化硅层，所述二氧化硅层的厚度d₁满足：d₁＝λ₀/4n₁，所述掺氟二氧化硅层的厚度d₂满足：d₂＝λ₀/4n₂；其中，λ₀为入射所述图形化复合衬底的入射光中心波长，n₁为所述二氧化硅层的折射率，n₂为所述掺氟二氧化硅的折射率。

10.根据权利要求9所述的图形化复合衬底的制备方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积工艺依次交替沉积所述二氧化硅层和所述掺氟二氧化硅层；所述等离子增强化学气相沉积工艺中的氟源气体包括CF4、C2F6和CHF3。

11.一种LED外延片，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的图形化复合衬底。