[发明专利]基于SAP工艺的NOR闪存器件的制作方法

权利要求书

1.一种基于SAP工艺的NOR闪存器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

制备所述NOR闪存器件对应的阱；

制备隧穿氧化层；

制备浮栅多晶硅层；

制备氮化硅硬掩膜层；

设置CAA掩膜；

进行CAA区域刻蚀；

设置PAA掩膜；

进行PAA区域刻蚀。

2.如权利要求1所述的基于SAP工艺的NOR闪存器件的制作方法，其特征在于，在所述进行PAA区域刻蚀的步骤之后，所述制作方法还包括以下步骤：

形成STI线性氧化层，并进行STI高深宽比填充工艺；

进行STI化学机械抛光；

进行氮化硅去除；

进行CRS刻蚀。

3.如权利要求1所述的基于SAP工艺的NOR闪存器件的制作方法，其特征在于，所述CAA掩膜包括依次层叠的硬膜层、DARC层和第一光刻胶层。

4.如权利要求3所述的基于SAP工艺的NOR闪存器件的制作方法，其特征在于，所述DARC层为N-free DARC层。

5.如权利要求1所述的基于SAP工艺的NOR闪存器件的制作方法，其特征在于，所述PAA掩膜包括BARC层和第二光刻胶层。