[发明专利]用于存储器阵列内的绞合导电线的接触件

说明书

本申请涉及用于存储器阵列内的绞合导电线的接触件。本文中描述用于形成绞合导电线的装置、系统和方法。一种方法包括：形成第一数目个竖直导电线接触件的第一行和第二行，每一行中的所述竖直接触件在第一水平方向上排列，且所述第一行在第二水平方向上与所述第二行间隔开；形成具有弯曲部分的数个导电线，每一导电线与所述第一数目个竖直导电线接触件的所述第一行和所述第二行的交替导电线接触件接触；以及形成具有一或多个弯曲部分的第二数目个导电线，每一导电线与所述第一数目个竖直导电线接触件的所述第一行和所述第二行的所述导电线接触件中的未由所述第一数目个导电线接触的其余导电线接触件接触。

技术领域

本公开大体上涉及存储器装置，且更具体地说，涉及在三维(3D)半导体存储器装置的竖直堆叠存储器单元阵列内形成用于绞合导电线的接触件。

背景技术

存储器通常实施于例如计算机、蜂窝电话、手持式装置等电子系统中。存在许多不同类型的存储器，包括易失性和非易失性存储器。易失性存储器可需要电力来维持其数据，且包括随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)。非易失性存储器可通过在未供电时保持所存储数据来提供持久性数据，且可包括NAND闪存存储器、NOR闪存存储器、氮化物只读存储器(NROM)、相变存储器(例如相变随机存取存储器)、电阻式存储器(例如电阻式随机存取存储器)、交叉点存储器、铁电随机存取存储器(FeRAM)等。

随着设计规则缩减，可用于制造包括DRAM阵列的存储器的半导体空间越来越少。用于DRAM的相应存储器单元可包括具有通过沟道区分离的第一和第二源极/漏极区的存取装置，例如晶体管。栅极可与沟道区相对且通过栅极电介质与沟道区分离。例如字线的存取线电连接到DRAM单元的栅极。DRAM单元可包括通过存取装置耦合到数字线的存储节点，例如电容器单元。存取装置可通过耦合到存取晶体管的存取线激活(例如用以选择单元)。电容器可存储对应于相应单元的数据值(例如逻辑“1”或“0”)的电荷。

发明内容

在一个方面中，本申请提供一种用于在竖直堆叠存储器单元阵列内形成导电线的方法，其包含：形成第一数目个竖直导电线接触件的第一行和第二行，其中每一行中的竖直接触件在第一水平方向上排列，且第一行在第二水平方向上与第二行间隔开；形成具有一或多个弯曲部分的第一数目个导电线，每一导电线与第一数目个竖直导电线接触件的第一行和第二行的导电线接触件中的交替导电线接触件接触；以及形成具有一或多个弯曲部分的第二数目个导电线，每一导电线与第一数目个竖直导电线接触件的第一行和第二行的导电线接触件的未由第一数目个导电线接触的其余导电线接触件接触。

在另一方面中，本申请提供一种用于在竖直堆叠存储器单元阵列内形成导电线的方法，其包含：形成数个层，每一层包含导电材料和介电材料中的至少一种；形成第一数目个竖直定向的导电线接触件的第一行和第二行，其中每一行中的竖直接触件在第一水平方向上排列，且第一行在第二水平方向上与第二行间隔开；形成具有一或多个弯曲部分的第一数目个水平定向的导电线，每一导电线与第一数目个导电线接触件的第一行和第二行的导电线接触件中的交替导电线接触件以及数个层的一或多个层接触；以及形成具有一或多个弯曲部分的第二数目个导电线，每一导电线与第一数目个竖直导电线接触件的第一行和第二行的导电线接触件的未由第一数目个导电线接触的其余导电线接触件接触。

在又一方面，本申请提供一种半导体存储器装置，其包含：竖直堆叠存储器单元阵列，其包含：导电线接触件的水平阵列，其中：第一数目个竖直导电线接触件的第一行和第二行在第一水平方向上排列，且第一行在第二水平方向上与第二行间隔开；具有一或多个弯曲部分的第一水平导电线与第一数目个竖直导电线接触件的第一行和第二行的交替导电线接触件接触；以及具有一或多个弯曲部分的第一导电线上方的第二水平导电线，每一导电线与第一数目个竖直导电线接触件的第一行和第二行的导电线接触件中的未由第一水平导电线接触的其余导电线接触件接触。

附图说明

图1A为根据本公开的数个实施例的竖直三维(3D)存储器的示意性说明。