[发明专利]一种基于柔性基底的非侵入式脑电传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于柔性基底的非侵入式脑电传感器，其特征在于，包括柔性基底、还原氧化石墨烯，所述还原氧化石墨烯通过浸润并干燥的方式沉积在柔性基底上。

2.根据权利要求1所述的一种基于柔性基底的非侵入式脑电传感器，其特征在于，所述传感器的直径为10mm～15mm。

3.根据权利要求1所述的一种基于柔性基底的非侵入式脑电传感器，其特征在于，所述传感器的高度为12mm～18mm。

4.根据权利要求1所述的一种基于柔性基底的非侵入式脑电传感器，其特征在于，所述柔性基底的材质为天然海绵、三聚氰胺、聚氨酯的其中之一，且为多孔海绵状结构。

5.一种如权利要求1-4中任一所述的基于柔性基底的非侵入式脑电传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、配置氧化石墨烯乙醇分散液，搅拌分散均匀，得到分散液；

S2、将柔性基底预处理后，浸入所述分散液中，使柔性基底被浸润完全；

S3、加入还原剂，将S2所得体系完全还原，清洗，干燥后即得非侵入式脑电传感器产品。

6.根据权利要求5所述的基于柔性基底的非侵入式脑电传感器的制备方法，其特征在于，步骤S1中氧化石墨烯乙醇分散液的浓度为1～12mg/mL。

7.根据权利要求6所述的基于柔性基底的非侵入式脑电传感器的制备方法，其特征在于，所述的氧化石墨烯乙醇分散液是将氧化石墨烯加入乙醇和去离子水中，使用磁力搅拌器，在转速为500rpm下搅拌10～30min，然后使用超声机在30～60KHz频率下超声分散30～60min得到。

8.根据权利要求6所述的基于柔性基底的非侵入式脑电传感器的制备方法，其特征在于，所述的氧化石墨烯通过改进的Hummers法制备而成。

9.根据权利要求5所述的基于柔性基底的非侵入式脑电传感器的制备方法，其特征在于，步骤S2中柔性基底预处理是将柔性基底切割成合适大小，并用酒精与去离子水多次洗涤，放入烘箱中干燥；

柔性基底浸入所述分散液后，使用超声机在30～60KHz频率下超声分散30～60min；然后10～30N压力下挤压1～5min；然后再次置于分散液中，经多次超声分散，挤压，使柔性基底被浸润完全，然后再超声分散1h。

10.根据权利要求5所述的基于柔性基底的非侵入式脑电传感器的制备方法，其特征在于，步骤S3中所述还原剂为水合肼、硼氢化钠或抗坏血酸的一种；

当还原剂为水合肼时，采用蒸汽还原，温度为30～90℃，还原时间为4h；

当还原剂为硼氢化钠或抗坏血酸时，采用水浴加热还原，温度为90℃，还原时间为12h。