[发明专利]一种铜铟硒纳米晶体、纳米薄膜及其制备方法和电子器件有效
申请号: | 202111497826.X | 申请日: | 2021-12-09 |
公开(公告)号: | CN114014277B | 公开(公告)日: | 2023-04-11 |
发明(设计)人: | 庞超;龚政;胡诗犇;潘章旭;郭婵;王建太;邹胜晗;李育智;陈志涛 | 申请(专利权)人: | 广东省科学院半导体研究所 |
主分类号: | C01B19/00 | 分类号: | C01B19/00;H01L21/02;H01L29/24;B82Y30/00 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 宋南 |
地址: | 510651 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铜铟硒 纳米 晶体 薄膜 及其 制备 方法 电子器件 | ||
1.一种铜铟硒纳米薄膜制备方法,其特征在于,包括:
使用二烷基二硫代氨基甲酸盐分别与铜盐与铟盐反应以制备得到第一前驱体及第二前驱体;
将所述第一前驱体、所述第二前驱体与硒粉加入第一有机溶液中得到第一溶液,且所述第一溶液位于含有惰性气体的环境;
在所述第一溶液中加入二苯基膦溶液,并在含有所述惰性气体的环境下充分反应得到第二溶液;
从所述第二溶液中分离铜铟硒纳米晶体;
将铜铟硒纳米晶体加入第二有机溶液中,配置预设浓度的分散液包括:
在第一预设时间内将所述分散液在室温下利用超声分散均匀得到第三前驱体溶液;
对所述第三前驱体溶液过滤,并将过滤后的所述第三前驱体溶液滴在基板上,在第二预设时间内以预设转速旋转所述基板,自然干燥得到第一纳米薄膜;
将所述第一纳米薄膜浸入含有铟盐的丙酮溶液中进行表面钝化,以得到铜铟硒纳米薄膜。
2.根据权利要求1所述的铜铟硒纳米薄膜制备方法,其特征在于:
所述二烷基二硫代氨基甲酸盐为二甲基二硫代氨基甲酸盐或,二乙基二硫代氨基甲酸盐或二丙基二硫代氨基甲酸盐。
3.根据权利要求1所述的铜铟硒纳米薄膜制备方法,其特征在于,所述使用二烷基二硫代氨基甲酸盐分别与铜盐与铟盐反应以制备得到第一前驱体及第二前驱体的步骤包括:
使得二乙基二硫代氨基甲钠酸溶解于异丙醇溶液,并将溶解有所述二乙基二硫代氨基甲钠酸的异丙醇溶液同时加入到氯化亚铜溶液与氯化铟溶液中,以分别制备得到二乙基二硫代氨基甲酸亚铜与二乙基二硫代氨基甲酸铟。
4.根据权利要求3所述的铜铟硒纳米薄膜制备方法,其特征在于:
所述二乙基二硫代氨基甲钠酸、所述氯化亚铜及所述氯化铟的物质的量比为6:3:2;
所述二乙基二硫代氨基甲酸亚铜、所述二乙基二硫代氨基甲酸铟、及所述硒粉的物质的量比为1:1:2。
5.根据权利要求1所述的铜铟硒纳米薄膜制备方法,其特征在于,所述将所述第一前驱体、所述第二前驱体与硒粉加第一有机溶液中得到第一溶液,且所述第一溶液位于含有惰性气体的环境的步骤包括:
将所述第一前驱体、所述第二前驱体与硒粉加入油胺溶液得到所述第一溶液,并通入氨气,并在预设时间内,对所述第一溶液进行抽真空、加热至第一预设温度,以除去水分及空气。
6.一种铜铟硒纳米薄膜,其特征在于,由权利要求1-5任一项所述的铜铟硒纳米薄膜制备方法制备得到。
7.一种电子器件,其特征在于,包括权利要求6所述的铜铟硒纳米薄膜。
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