[发明专利]一种串珠式一维异质纳米复合材料及其制备方法和应用及聚合物基吸波复合材料

权利要求书

1.一种串珠式一维异质纳米复合材料，包括一维无机绝缘纳米材料和穿串于所述一维无机绝缘纳米材料上的Co-C颗粒，所述Co-C颗粒由金属有机骨架ZIF-67经烧结制成，所述Co-C颗粒和一维无机绝缘纳米材料形成串珠式结构；所述一维无机绝缘纳米材料包括氮化硼纳米管、氮化硼晶须或氧化铝纳米线；

所述串珠式一维异质纳米复合材料的制备方法，包括以下步骤：

将一维无机绝缘纳米材料、钴源、表面活性剂、2-甲基咪唑和有机溶剂混合，进行原位合成，得到ZIF-67@一维无机绝缘纳米复合材料；所述一维无机绝缘纳米材料包括氮化硼纳米管、氮化硼晶须或氧化铝纳米线；

将所述ZIF-67@一维无机绝缘纳米复合材料进行烧结，得到串珠式一维异质纳米复合材料；

所述烧结的温度为500～900℃；

所述氮化硼纳米管的直径为30～50nm，长径比为180～300，比表面积为65～75m²/g，平均孔半径为10.86nm；所述一维无机绝缘纳米材料和Co-C颗粒的质量比为1:(1～3)；

所述氮化硼晶须直径为100～500nm，长径比为10～100，比表面积为10～15m²/g；所述氧化铝纳米线的直径为2～8nm，长径比为200～800，比表面积为150～160m²/g。

2.权利要求1所述串珠式一维异质纳米复合材料的制备方法，包括以下步骤：

将一维无机绝缘纳米材料、钴源、表面活性剂、2-甲基咪唑和有机溶剂混合，进行原位合成，得到ZIF-67@一维无机绝缘纳米复合材料；所述一维无机绝缘纳米材料包括氮化硼纳米管、氮化硼晶须或氧化铝纳米线；

将所述ZIF-67@一维无机绝缘纳米复合材料进行烧结，得到串珠式一维异质纳米复合材料；

所述烧结的温度为500～900℃。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述钴源包括硝酸钴；所述钴源与一维无机绝缘纳米材料的摩尔比为1:(0.1～1.2)。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述表面活性剂包括聚乙烯吡咯烷酮、十八烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠或十二烷基硫酸钠。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述表面活性剂与一维无机绝缘纳米材料的摩尔比为1:(20～800)。

6.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述2-甲基咪唑与钴源的摩尔比为1:(0.05～0.2)。

7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述原位合成的温度为25～30℃，时间为3～8h；所述烧结的时间为2～5h。

8.权利要求1所述串珠式一维异质纳米复合材料或权利要求2～7任一项所述制备方法制备得到的串珠式一维异质纳米复合材料在微波吸收领域中的应用。

9.一种聚合物基吸波复合材料，包括共混的串珠式一维异质纳米复合材料和聚合物基体材料；所述串珠式一维异质纳米复合材料为权利要求1所述串珠式一维异质纳米复合材料或权利要求2～7任一项所述制备方法制备得到的串珠式一维异质纳米复合材料。