[发明专利]多层堆叠高宽带存储器封装方法及封装结构

权利要求书

1.一种多层堆叠高宽带存储器封装方法，其特征在于，所述方法包括：

提供缓冲芯片和多个第一存储器芯片，所述缓冲芯片和所述多个第一存储器芯片均设置有多个导电通孔；

在所述第一存储器芯片朝向所述缓冲芯片的表面对应所述导电通孔的位置处，依次形成第一导电凸块和第二导电凸块；

在所述第一存储器芯片背离所述缓冲芯片的表面对应所述导电通孔的位置处形成第一焊盘；

通过热压焊工艺，将每相邻两个所述第一存储器芯片的所述第二导电凸块和所述第一焊盘相嵌套，以将所述多个第一存储器芯片依次绝缘堆叠在所述缓冲芯片上；

通过回流焊工艺，将堆叠完成的所述多个第一存储器芯片和所述缓冲芯片进行回流焊接；

形成塑封层，所述塑封层包裹所述多个第一存储器芯片和所述缓冲芯片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过热压焊工艺，将每相邻两个所述第一存储器芯片的所述第二导电凸块和所述第一焊盘相嵌套，包括：

在所述第一焊盘上形成凸起；

通过热压焊工艺，将每相邻两个所述第一存储器芯片的所述凸起压入所述第二导电凸块中。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一导电凸块的熔点大于所述第二导电凸块的熔点，并且，所述热压焊工艺的温度小于所述第二导电凸块的熔点。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过回流焊工艺，将堆叠完成的所述多个第一存储器芯片和所述缓冲芯片进行回流焊接，包括：

在酸性气体环境下，通过回流焊工艺，将堆叠完成的所述多个第一存储器芯片和所述缓冲芯片进行回流焊接。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述第一存储器芯片朝向所述缓冲芯片的表面对应所述导电通孔的位置处，依次形成第一导电凸块和第二导电凸块，包括：

在所述第一存储器芯片朝向所述缓冲芯片的表面依次形成第一钝化层和第一介电层；

在所述第一介电层上形成光刻胶层，图形化所述光刻胶层形成多个第一开口，所述多个第一开口分别与所述多个导电通孔相对应；

在所述多个第一开口处依次形成所述第一导电凸块和所述第二导电凸块；

去除所述光刻胶层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二导电凸块的表面凸出于所述光刻胶层的表面；在去除所述光刻胶层之前，所述方法还包括：

研磨所述第二导电凸块，使得所述第二导电凸块的表面与所述光刻胶层的表面齐平。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述第一存储器芯片背离所述缓冲芯片的表面对应所述导电通孔的位置处形成所述第一焊盘，包括：

在所述第一存储器芯片背离所述缓冲芯片的表面形成第二钝化层，图形化所述第二钝化层形成多个第二开口，所述多个第二开口与所述多个导电通孔相对应；

在所述多个第二开口处形成所述第一焊盘。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述缓冲芯片背离所述第一存储器芯片的表面设置有第三钝化层和第二介电层，所述第二介电层上设置有多个导电凸起，所述多个导电凸起与所述多个导电通孔相对应并电连接；

所述缓冲芯片朝向所述第一存储器芯片的表面设置有第四钝化层和第二焊盘，其中，所述第二焊盘与靠近所述缓冲芯片的所述第一存储器芯片上的所述第二导电凸块相嵌套。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述形成塑封层，所述塑封层包裹所述多个第一存储器芯片和所述缓冲芯片，所述方法还包括：

在所述多个第一存储器芯片之间以及所述第一存储器芯片和所述缓冲芯片之间均填充塑封料，所述塑封料包裹所述第一焊盘、所述第二焊盘、所述第一导电凸块和所述第二导电凸块。

10.一种多层堆叠高宽带存储器封装结构，其特征在于，采用权利要求1至9任一项所述的封装方法制作形成。