[发明专利]高宽带存储器封装方法及封装结构

权利要求书

1.一种高宽带存储器封装方法，其特征在于，所述方法包括：

在第一存储器芯片内预设位置处形成多个切割痕；

在相邻两个所述切割痕之间，将具有第一导电通孔的多个第二存储器芯片依次混合键合堆叠设置在所述第一存储器芯片上；

对所述第一存储器芯片和所述多个第二存储器芯片进行塑封，形成第一塑封层；

将塑封完成的所述第一存储器芯片贴在贴片膜上，在对应所述多个切割痕的位置处切割所述第一塑封层，形成多个独立的第二存储器芯片组；

沿所述多个切割痕，对所述第一存储器芯片进行切割，形成多个独立的存储器堆叠模块；

将所述多个存储器堆叠模块与缓冲芯片进行热压键合，所述缓冲芯片具有第二导电通孔；

对所述缓冲芯片和所述存储器堆叠模块进行塑封，形成第二塑封层；

对所述第二塑封层和所述缓冲芯片进行切割，形成独立的存储器封装结构。

2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第二存储器芯片朝向所述第一存储器芯片的表面设置有第一钝化层和第一金属焊盘，所述第二存储器芯片背离所述第一存储器芯片的表面设置有第二钝化层和第二金属焊盘，所述第一存储器芯片朝向所述第二存储器芯片的表面设置有第三钝化层和第三金属焊盘；

所述将具有导电通孔的多个第二存储器芯片依次混合键合堆叠设置在所述第一存储器芯片上，包括：

将底层的所述第二存储器芯片的第一钝化层与所述第一存储器芯片的第三钝化层进行键合，将该底层的第二存储器芯片上的第一金属焊盘与所述第一存储器芯片上的第三金属焊盘进行键合；

依次将其余各层第二存储器芯片混合键合堆叠在所述底层第二存储器芯片上，其中，每相邻两层第二存储器芯片中的所述第一钝化层与所述第二钝化层键合；以及，每相邻两层第二存储器芯片中的所述第一金属焊盘与所述第二金属焊盘键合。

3.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在将塑封完成的所述第一存储器芯片贴在贴片膜上之前，所述方法还包括：

在顶层的所述第二存储器芯片和所述第一塑封层背离所述第一存储器芯片的表面形成第一凸点，所述第一凸点与所述第二导电通孔相对应；

在所述第一凸点上形成非导电胶膜。

4.根据权利要求3所述的封装方法，其特征在于，在形成所述第一凸点之前，所述方法还包括：

在顶层的所述第二存储器芯片和所述第一塑封层背离所述第一存储器芯片的表面形成介电层；

在所述介电层上形成重布线层。

5.根据权利要求3所述的封装方法，其特征在于，所述缓冲芯片朝向所述存储器堆叠模块的表面设置有第四钝化层和第四金属焊盘；

所述将所述多个存储器堆叠模块与所述缓冲芯片进行热压键合，包括：

将所述第一凸点与所述第四金属焊盘进行热压键合。

6.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述在第一存储器芯片内预设位置处形成多个切割痕，包括：

通过激光隐形切割法在所述第一存储器芯片预设位置内形成多个所述切割痕。

7.根据权利要求6所述的封装方法，其特征在于，所述对所述第一存储器芯片进行切割，形成多个独立的存储器堆叠模块，包括：

在预设的低温条件下拉伸所述贴片膜，使得所述第一存储器芯片内的多个切割痕扩大，形成多个独立的所述存储器堆叠模块。

8.根据权利要求1至7任一项所述的封装方法，其特征在于，在对所述第二塑封层和所述缓冲芯片进行切割之前，所述方法还包括：

在所述缓冲芯片背离所述存储器堆叠模块的表面形成第二凸点，所述第二凸点与所述第二导电通孔相对应。

9.根据权利要求1至7任一项所述的封装方法，其特征在于，所述第一导电通孔和所述第二导电通孔均为硅通孔。

10.一种高宽带存储器封装结构，其特征在于，采用权利要求1至9任一项所述的封装方法制作形成。