[发明专利]一种同步整流电路及控制方法

权利要求书

1.一种同步整流电路，其特征在于，包括初级整流驱动电路、次级整流驱动电路、光电耦合器、脉宽控制单元；所述初级整流驱动电路包括第一开关器件，所述次级整流驱动电路包括第二开关器件；其中：

所述脉宽控制单元的输出端连接所述第一开关器件的控制端，所述第一开关器件的控制端接收到高电平信号时，所述第一开关器件用于控制所述初级整流驱动电路导通，所述第一开关器件的控制端接收到低电平信号时，所述第一开关器件用于控制所述初级整流驱动电路断开；

所述光电耦合器的发光源连接在所述脉宽控制单元的输出端与接地端之间，所述光电耦合器的受光器连接在第二开关器件的控制端与接地端之间；所述第二开关器件的控制端接收到高电平信号时，所述第二开关器件用于控制所述次级整流驱动电路导通，所述第二开关器件的控制端接收到低电平信号时，所述第二开关器件用于控制所述次级整流驱动电路断开。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一开关器件包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极为所述第一开关器件的控制端。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述初级整流驱动电路还包括变压器的初级线圈和交流电源；其中：

所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的源极与接地端连接，所述变压器的初级线圈连接在所述交流电源和所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极之间。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述初级整流驱动电路还包括第一电容；其中：

所述第一电容连接在所述交流电源与接地端之间。

5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第二开关器件包括第二金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极为所述第二开关器件的控制端。

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述同步整流电路还包括第一负载、第一直流电源；其中：

所述第一负载连接在所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的源极和所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极之间，所述第一直流电源与所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极和源极的公共端连接。

7.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述次级整流驱动电路还包括变压器的次级线圈和第二直流电源；其中：

所述变压器的次级线圈连接在所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极和所述第二直流电源之间。

8.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，所述次级整流驱动电路还包括第二电容；其中：

所述第二电容连接在所述第二直流电源与接地端之间。

9.一种同步整流电路的控制方法，其特征在于，应用于同步整流电路中，所述同步整流电路包括初级整流驱动电路、次级整流驱动电路、光电耦合器、脉宽控制单元；所述初级整流驱动电路包括第一开关器件，所述次级整流驱动电路包括第二开关器件；所述脉宽控制单元的输出端连接所述第一开关器件的控制端；所述光电耦合器的发光源连接在所述脉宽控制单元的输出端与接地端之间，所述光电耦合器的受光器连接在第二开关器件的控制端与接地端之间；所述方法包括：

所述第一开关器件的控制端接收到高电平信号时，所述第一开关器件控制所述初级整流驱动电路导通，所述第一开关器件的控制端接收到低电平信号时，所述第一开关器件控制所述初级整流驱动电路断开；

所述第二开关器件的控制端接收到高电平信号时，所述第二开关器件控制所述次级整流驱动电路导通，所述第二开关器件的控制端接收到低电平信号时，所述第二开关器件控制所述次级整流驱动电路断开。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一开关器件包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极为所述第一开关器件的控制端。