[发明专利]一种抗冷凝失效的铠甲化超疏水表面及其制备方法

权利要求书

1.一种抗冷凝失效的铠甲化超疏水表面的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)硅基倒四棱锥微结构的制备

采用光刻和湿法刻蚀于基底上制备硅基倒四棱锥微结构；

(2)纳米二氧化硅表面的制备

将步骤(1)制得的基底放置于蜡烛火焰上20～40s后，与TEOS和浓氨水共同置于真空环境下，静置30～40h后，取出基底煅烧并保温后冷却至室温，制得纳米二氧化硅表面；

(3)铠甲化超疏水表面的制备

将钠米二氧化硅表面平整后清洁，再与全氟十二烷基三氯硅烷共同真空干燥，制得铠甲化超疏水表面；

(4)铠甲化双亲表面的制备

使用锐器对铠甲化超疏水表面来回刮擦3～6次，即可制得铠甲化双亲表面。

2.如权利要求1所述的抗冷凝失效的铠甲化超疏水表面的制备方法，其特征在于，所述基底包括硅片、玻璃、金属或合金，所述锐器包括刀片、螺丝刀或刮刀。

3.如权利要求1所述的抗冷凝失效的铠甲化超疏水表面的制备方法，其特征在于，所述光刻包括以下步骤：使用等离子体处理基底后烤片，以3000～4000rpm的速度旋涂光刻胶并依次进行前烘、曝光、显影、后烘、刻蚀以及去胶。

4.如权利要求1所述的抗冷凝失效的铠甲化超疏水表面的制备方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的具体过程为：以体积分数为25％的四甲基氢氧化铵为触刻剂于60～100℃条件下进行湿法刻蚀，并置于缓冲氧化物刻蚀液中150～200s。

5.如权利要求1所述的抗冷凝失效的铠甲化超疏水表面的制备方法，其特征在于，所述浓氨水的质量分数为18～20wt％，所述TEOS的体积为3～5mL。

6.如权利要求1所述的抗冷凝失效的铠甲化超疏水表面的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中真空度为0.8～1.0，所述煅烧温度为500～550℃，所述煅烧时间和保温时间均为100～150min。

7.如权利要求1所述的抗冷凝失效的铠甲化超疏水表面的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中清洁的方法具体为：将纳米二氧化硅置于等离子体清洁器中清洁25～35min。

8.如权利要求1所述的抗冷凝失效的铠甲化超疏水表面的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中全氟十二烷基三氯硅烷的体积为180～220μL，所述真空干燥的真空度为0.8～1.0，真空干燥的时间为100～150min。

9.采用权利要求1～8任一项所述的抗冷凝失效的铠甲化超疏水表面的制备方法制备得到的抗冷凝失效的铠甲化超疏水表面。