[发明专利]半导体退火设备及其控制方法

权利要求书

1.一种半导体退火设备，其特征在于，包括：

3N个调整部，围成能够容纳目标晶圆的转移承载区，每个所述调整部包括第一承托结构，所述第一承托结构的自由端靠近所述转移承载区的中心；

3N个定位部，围成能够容纳所述目标晶圆的工艺承载区，每个所述定位部包括第二承托结构，所述第二承托结构的自由端靠近所述工艺承载区的边缘，相邻所述第二承托结构之间的距离允许所述第一承托结构通过；

移动控制部，通信连接3N个所述调整部，以带动3N个所述第一承托结构进行运动，从而调整所述目标晶圆和所述工艺承载区之间的相对位置关系；N为大于等于1的正整数。

2.根据权利要求1所述的半导体退火设备，其特征在于，还包括第一加热部和第二加热部，所述第一加热部和所述第二加热部分别朝向所述工艺承载区的两侧设置，以加热所述目标晶圆的正面和背面。

3.根据权利要求1所述的半导体退火设备，其特征在于，所述第二承托结构为透光导热承托结构。

4.根据权利要求1所述的半导体退火设备，其特征在于，还包括通信连接所述移动控制部的位置信息获取部，所述位置信息获取部朝向所述工艺承载区的至少一侧设置，以获取并向所述移动控制部反馈所述目标晶圆的位置信息。

5.根据权利要求1所述的半导体退火设备，其特征在于，每个所述调整部还包括相对所述第一承托结构倾斜设置的第一倾斜结构，所述第一倾斜结构与所述第一承托结构交汇形成第一限位区，3N个所述第一限位区限定所述转移承载区的范围。

6.根据权利要求1所述的半导体退火设备，其特征在于，每个所述定位部还包括相对所述第二承托结构倾斜设置的第二倾斜结构，所述第二倾斜结构与所述第二承托结构相接形成第二限位区，3N个所述第二限位区限定所述工艺承载区的范围。

7.根据权利要求1所述的半导体退火设备，其特征在于，3N个所述调整部和/或3N个所述定位部呈环形阵列分布。

8.一种半导体退火设备的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：

S0：提供半导体退火设备，所述半导体退火设备包括3N个调整部、3N个定位部和移动控制部，3N个所述定位部围成能够容纳目标晶圆的工艺承载区，每个所述定位部包括第二承托结构，所述第二承托结构的自由端靠近所述工艺承载区的边缘，相邻所述第二承托结构之间的距离允许每个所述调整部的第一承托结构通过；

S1：通过所述移动控制部控制3N个所述调整部和3N个所述定位部围成初始定位区，将目标晶圆放置于所述初始定位区；

S2：通过所述移动控制部判断是否需要对所述目标晶圆进行位置调整；

S3：控制3N个所述调整部远离3N个所述定位部运动，使每个所述第一承托结构承托所述目标晶圆，以及使每个所述第二承托结构解除与所述目标晶圆之间的接触关系；

S4：通过所述移动控制部控制3N个所述调整部进行位置调整，直至通过所述移动控制部判断所述目标晶圆的中心与所述工艺承载区的中心重合；

S5：通过所述移动控制部控制3N个所述调整部朝向3N个所述定位部运动的同时维持所述目标晶圆的中心与所述工艺承载区的中心重合，直至所述目标晶圆与每个所述第二承托结构相接触，且每个所述第一承托结构与所述目标晶圆解除接触关系。

9.根据权利要求8所述的半导体退火设备的控制方法，其特征在于，所述半导体退火设备还包括分别朝向所述工艺承载区的两侧设置的第一加热部和第二加热部，所述步骤S5执行完毕后，通过所述第一加热部和所述第二加热部对所述目标晶圆进行加热。

10.根据权利要求8所述的半导体退火设备的控制方法，其特征在于，所述半导体退火设备还包括通信连接所述移动控制部的位置信息获取部，所述步骤S2中，通过所述移动控制部判断是否需要对所述目标晶圆进行位置调整的步骤包括：

通过所述位置信息获取部获取并向所述移动控制部反馈所述目标晶圆的位置信息，所述移动控制部根据所述位置信息获取部反馈的所述目标晶圆的位置信息判断是否需要对所述目标晶圆进行位置调整。