[发明专利]一种耐老化的陶瓷复合绝缘子及其制备方法在审
| 申请号: | 202111494020.5 | 申请日: | 2021-12-08 |
| 公开(公告)号: | CN113963870A | 公开(公告)日: | 2022-01-21 |
| 发明(设计)人: | 黄伟 | 申请(专利权)人: | 萍乡市高压电瓷厂有限公司 |
| 主分类号: | H01B17/38 | 分类号: | H01B17/38;H01B3/12;H01B19/00;H01B19/02;H01B19/04 |
| 代理公司: | 北京奇眸智达知识产权代理有限公司 11861 | 代理人: | 游玉香 |
| 地址: | 337000 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 老化 陶瓷 复合 绝缘子 及其 制备 方法 | ||
1.一种耐老化的陶瓷复合绝缘子,其特征在于:包括第一原料组、第二原料组与第三原料组。
2.根据权利要求1所述的一种耐老化的陶瓷复合绝缘子,其特征在于:所述第一原料组包括以下重量份的原料:硅石30-35份,长石15-20份,黏土20-30份,伊利石10-20份。
3.根据权利要求1所述的一种耐老化的陶瓷复合绝缘子,其特征在于:所述第二原料组包括以下重量份的原料:三氧化二钇5-10份,碳酸钡5-15份,氧化钛3-5份,去离子水8-15份,三氧化二铝5-20份,二氧化锆10-15份。
4.根据权利要求1所述的一种耐老化的陶瓷复合绝缘子,其特征在于,所述第三原料组包括以下重量份的原料:氢氧化铝5-15份,硅烷偶联剂15-20份,二甲基羟基硅油10-20份,三氯化铁15-20份,聚硅氧烷20-25份,纯水30-35份。
5.根据权利要求1至4所述的一种耐老化的陶瓷复合绝缘子制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
S1、将所述第一原料组包括的硅石、长石、黏土、伊利石以及10%球磨机容积的水分别置于球磨机内用500转每分钟球磨2小时,并利用过筛机过筛至20-30目后,将球磨后的产物放置进混合搅拌机内以200转每分钟混合搅拌2.5-3小时,得到混合物A;
S2、再将混合物A置于球磨机内以600转每分钟持续球磨1-1.5小时,并利用所述过筛机过筛至50-80目,得到混合物B,将混合物B放入干燥以70度的温度干燥2小时,得到陶瓷粉A;
S3、用热活化方法将所述第二原料组的氧化钛、三氧化二钇、碳酸钡进行放入混合搅拌机中进行混合,得到混合物C,再将陶瓷粉A与混合物C置入加有所述第二原料组的去离子水和二氧化锆粒的聚乙烯容器中,搅拌均化混合物C24小时,倒出过量的水,得到粉体,将粉体在80℃下加热18h以除去水分,收集粉体,将其一部分压制成厚度1-2毫米的单轴成片状,将片和粉置于烧结炉中,在800-1000℃温度下烧结2-3h,得到混合粉,最后用研磨机将混合粉与二氧化锆混合用二氧化锆球进行研磨粉碎,粉碎成200-300目,得到混合物D;
S4、将100份所述第三原料组的甲基羟基硅油加入捏合机中,每隔1-1.5小时分5次加入50份气相法白炭黑、一定量的氢氧化铝和硅烷偶联剂及适量的结构化控制剂和脱模剂,全部物料加完后在200-250摄氏度条件下捏合5-6小时,出料后生成混合物E;
S5、将混合物E放入开炼机中,开炼至胶料光滑,得到混炼胶,将混炼胶在开炼机上包辊,薄通5-10次,得到1-2毫米薄片,将薄片放置在平板硫化机上硫化成型,一次硫化条件为100-150摄氏度硫化20-25分钟,二次硫化条件为300-400摄氏度硫化20-25分钟,完成硫化后,得到硫化物A。
S6、将硫化物A与所述第三原料组包括的二甲基羟基硅油、三氯化铁、聚硅氧烷一起置于所述球磨机内以170-200摄氏度的温度球磨1-2小时,并用所述过筛机过筛至300至500目,得到混合粉B,再将混合粉B以及50%混合搅拌机容积的纯水置于混合搅拌机内以200摄氏度的温度用500转每分钟混合搅拌1-2小时,得到泥饼A,利用真空炼泥机在-1大气压的状态下炼泥0.3-0.5小时,形成实心泥块A;
S7、将实心泥块A放置于密封室静置20-25小时后,得到坯料A,并将坯料A放置在坯料放入成型模具内,以150-200摄氏度的温度下压制成绝缘子坯件,将绝缘子坯件置于干燥室内干燥10-15小时后,对干燥后的坯件喷淋釉浆以使其覆盖一层釉层,然后对其进行烧成,冷却,切割平整打磨,得到高强度耐老化的瓷绝缘子。
6.根据权利要求5所述的一种耐老化的陶瓷复合绝缘子制备方法,其特征在于:步骤S7中所述釉层的厚度为0.4-0.55毫米。
7.根据权利要求5所述的一种耐老化的陶瓷复合绝缘子制备方法,其特征在于:步骤S7中所述冷却过程的条件为20-30摄氏度并冷却3-4小时。
8.根据权利要求5所述的一种耐老化的陶瓷复合绝缘子及其制备方法,其特征在于:步骤S7中所述烧成过程的条件为300-400摄氏度并烧成1-2小时。
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