[发明专利]扇出式封装方法及封装结构

权利要求书

1.一种扇出式封装方法，其特征在于，所述方法包括：

提供晶圆载盘、面板载片和多组第一芯片，其中，所述第一芯片的正面设置有多个导电凸块；

将多组第一芯片的背面以第一阵列的形式固定在所述晶圆载盘的表面，在所述多组第一芯片的正面形成第一塑封层；

将所述多组第一芯片与所述晶圆载盘分离，在所述多组第一芯片的正面形成高密度互连布线层；

将所述多组第一芯片进行切割，并以第二阵列的形式将形成有所述高密度互连布线层的一侧固定在所述面板载片的表面；

在所述多组第一芯片背离所述高密度互连布线层的一侧形成第二塑封层；

将所述多组第一芯片与所述面板载片分离，在所述高密度互连布线层上形成低密度互连布线层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一芯片的正面形成高密度互连布线层之前，所述方法还包括：

将所述多组第一芯片与所述晶圆载盘分离，并对所述第一芯片的正面进行研磨，以露出所述导电凸块。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述多组第一芯片的正面形成高密度互连布线层，包括：

在所述第一塑封层和所述导电凸块上形成第一介电层，图形化所述第一介电层，形成多个第一开口；

在所述图形化后的第一介电层表面形成第一金属互连层，图形化所述第一金属互连层，形成所述高密度互连布线层，其中，所述第一金属互连层与所述导电凸块电连接。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述高密度互连布线层表面形成低密度互连布线层，包括：

在所述高密度互连布线层表面形成第二介电层，图形化所述第二介电层，形成多个第二开口；

在所述图形化后的第二介电层表面形成第二金属互连层，图形化所述第二金属互连层，形成所述低密度互连布线层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一介电层和所述第二介电层的介电材料不同。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在形成所述低密度互连布线层之后，所述方法还包括：

在所述图形化后的第二金属互连层表面形成第三介电层，图形化所述第三介电层，形成多个第三开口；

在所述多个第三开口处进行植球，形成多个焊球；

对所述多组第一芯片进行切割，形成单组芯片封装结构。

7.根据权利要求1至6任一项所述的方法，其特征在于，在形成多个焊球之后，所述方法还包括：

对所述第二塑封层背离所述多组第一芯片的一侧进行打磨；或者，

在所述多组第一芯片背离所述高密度互连布线层的一侧形成第二塑封层之后，所述方法还包括：

对所述第二塑封层背离所述多组第一芯片的一侧进行打磨。

8.根据权利要求1至6任一项所述的方法，其特征在于，每组第一芯片包括一个或多个第一芯片。

9.一种扇出式封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：第一芯片、塑封层、高密度互连布线层和低密度互连布线层，其中，所述第一芯片的正面设置有多个导电凸块；

所述塑封层包裹所述第一芯片，所述高密度互连布线层夹设在所述塑封层和所述低密度互连布线层之间。

10.根据权利要求9所述的封装结构，其特征在于，

所述高密度互连布线层包括设置在所述导电凸块上的第一介电层，以及设置在所述第一介电层上的第一金属互连层，其中，所述第一金属互连层与所述导电凸块电连接；

所述低密度互连布线层包括设置在所述第一金属互连层上的第二介电层，以及设置在所述第二介电层上的第二金属互连层。