[发明专利]一种三元重稀土铜硫族化合物晶体的制备方法在审
| 申请号: | 202111489139.3 | 申请日: | 2021-12-08 |
| 公开(公告)号: | CN114031047A | 公开(公告)日: | 2022-02-11 |
| 发明(设计)人: | 付远;邱伊健;张友亮 | 申请(专利权)人: | 江西省科学院应用物理研究所 |
| 主分类号: | C01B19/00 | 分类号: | C01B19/00;C01G3/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 330001 江西省南昌市*** | 国省代码: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 三元 稀土 铜硫族 化合物 晶体 制备 方法 | ||
1.一种三元重稀土铜硫族化合物晶体的制备方法,本方法采用的是非加压热处理的合成工艺,其特征在于本方法是将重稀土元素的高纯单质粉末,高纯铜单质粉末,高纯硫族元素单质粉末按照一定比例进行充分混合后压片,将压片后的混合物密封在低压石英管中,并将石英管放入氮气保护的温控熔炼炉中进行适当的高温处理后生成的三元重稀土铜硫族化合物GnCuQ2。
2.权利要求1所述的三元重稀土铜硫族化合物GnCuQ2,其特征在于它属于重稀土铜硫族化合物的一种或者多种的混合,具体的生成产物在于反应初始加入的粉末的类型和比例,其中Gn表示元素Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu,和Y单质的一种或多种组合,Q则表示硫族S,Se,和Te元素单质的一种。
3.权利要求1所述的单质粉末,其粒径应小于0.1mm,并且重稀土元素Gn单质粉末的纯度大于等于99.9%,Cu元素单质粉末的纯度大于等于99.999%,Q元素单质粉末的纯度大于等于99.5%。
4.权利要求1所述的压片,其特征在于,采用的压片为常温压片工艺,加压压力为60-100MPa。
5.权利要求1所述的高温处理,其步骤共分为两步,第一步将样品封装在低于1/5000的大气压强石英管中,并将石英管放置于氮气气氛保护的熔炼炉中,3天内加热至750℃,在此温度下保持3天,然后冷却至室温;第二步将第一步所得混合物彻底研磨,并加入2-3份NaI(摩尔比),然后再将样品在72小时内和前述步骤同样的密封和气氛环境中加热至900℃,并在900℃下保持4天后,慢速度以0.05℃/min冷却到至680℃,然后正常空气冷却至室温。
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