[发明专利]一种射频前端集成电路的封装结构以及封装方法

权利要求书

1.一种射频前端集成电路的封装方法，其特征在于，包括：

提供第一载板，将芯片背面贴装在所述第一载板上表面，并构建第一包封层；

在所述第一包封层上表面进行多次包封-减薄打孔-RDL布线工艺处理，形成包封层和布线层交替叠加的多层结构；

在最上一层布线层上表面贴装器件，进行完全包封处理，形成第一封装体；

将所述第一载板去除，将所述第一封装体上表面贴装到第二载板，在所述第一封装体下表面进行RDL布线，形成第二封装体；

将所述第二载板去除，将所述第二封装体与其他器件进行堆叠封装，形成最终封装体；

其中，所述包封-减薄打孔-RDL布线工艺处理包括：

在所述第一包封层上表面进行RDL布线，形成第一布线层；

利用塑封料对所述第一布线层进行包封，形成第二包封层；

利用激光对所述第二包封层进行打孔，贯穿所述第二包封层的上下表面，形成连接所述第一布线层的导电通孔；

在所述第二包封层上表面进行RDL布线，形成第二布线层，使所述第二布线层连接所述导电通孔。

2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述将所述第一载板去除包括：利用激光的方式将所述第一载板去除。

3.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第一布线层和所述第二布线层的厚度均大于3μm，所述第一布线层和所述第二布线层的材料均为电镀铜。

4.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述提供第一载板，在所述第一载板上构建第一包封层包括：

提供所述第一载板，将芯片背面贴装在所述第一载板的上表面，形成组件体；

利用塑封料对所述组件体进行包封，形成第一包封层；

对所述第一包封层进行减薄处理，直至暴露出所述组件体的金属凸起结构。

5.如权利要求4所述的封装方法，其特征在于，所述对所述第一包封层进行减薄处理，直至暴露出所述组件体的金属凸起结构包括：

利用磨板、激光或等离子蚀刻的方法对所述第一包封层进行减薄处理，直至露出所述组件体中的金属凸起结构。

6.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述在最上一层布线层上表面贴装器件，进行完全包封处理，形成第一封装体后还包括：

对所述第一封装体进行激光穿孔，形成贯穿所述第一封装体上下表面的贯穿孔，利用金属填充所述贯穿孔。

7.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第一载板和所述第二载板的材料为玻璃或者铁。

8.一种射频前端集成电路的封装结构，其特征在于，所述封装结构采用权利要求1-7中的任一项所述的封装方法。