[发明专利]一种2J85T磁滞合金及其变形加工工艺在审

专利信息
申请号: 202111483797.1 申请日: 2021-12-07
公开(公告)号: CN114334330A 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 王军;宋艳平 申请(专利权)人: 西安鸿源电子材料有限责任公司;王军
主分类号: H01F1/047 分类号: H01F1/047;H01F41/02;B21J5/00;C21D6/00;C21D8/12;C22C33/04;C22C38/00;C22C38/04;C22C38/06;C22C38/44;C22C38/46;C22C38/52
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710082 陕西省西安市高新区*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 j85t 合金 及其 变形 加工 工艺
【权利要求书】:

1.一种2J85T磁滞合金,其特征在于,其化学组成以重量计包括:

22%≤铬(Cr )≤26%;

8%≤钴(Co)≤15%;

钨(W)≤3.0%

钒(V)≤1.5%;

铝(Al)≤1.0%;

镍(Ni)≤1.0%;

钼(Mo)≤1.0%;

锰(Mn)≤0.2%;

稀土元素 ≤0.1%;

碳(C)≤0.03%;

磷(P)≤0.02%;

硫(S)≤0.02%;

合金化元素(R)≤1.0%;

所述合金化元素(R)包括锆(Zr)、铌(Nb)、钛(Ti)和硅(Si)中的一种或多种;

其余为铁(Fe)及炼制中不可避免的杂质。

2.根据权利要求1所述的2J85T磁滞合金,其特征在于,其化学组成以重量计包括:

0.5%≤钒(V)+合金化元素(R)≤1.5%;

和/或

0.5%≤铝(Al)+合金化元素(R)≤1.5%;

其中:

锆(Zr)≤0.35%

钛(Ti)≤0.5%

铌(Nb)≤0.5%

硅(Si)≤0.6%。

3.根据权利要求1所述的2J85T磁滞合金,其特征在于,其化学组成以重量计包括:

23%≤铬(Cr )+钨(W)≤25%。

4.根据权利要求1所述的2J85T磁滞合金,其特征在于,其化学组成以重量计包括:

0.5%≤钒(V)+铌(Nb)≤1.5%。

5.根据权利要求1所述的2J85T磁滞合金,其特征在于,其化学组成以重量计包括:

0.5%≤铝(Al)+硅(Si)+钛(Ti)+锆(Zr)≤1.5%。

6.一种2J85T磁滞合金的变形加工工艺,其特征在于,包括如下加工工序:

1)冶炼工序:冶炼合金并浇铸出钢锭或铸件,确保钢锭或铸件合金化充分、材质纯净、组织致密、无皮下气泡或组织疏松,钢锭或铸件的原料组成为权利要1至5任意一项所述的化学组成;

2)锻造工序:将前序冶炼的钢锭或铸件扒皮,并加热锻造成预设尺寸的方坯、扁坯、棒材或型材,确保其表面光洁、无裂纹叠皮;

3)热轧工序:将煅坯、锻棒切头去尾,表面修磨至无缺陷,并加热热轧、或热穿管成预设尺寸的带坯、管坯、盘条、棒材及板材;

4)酸洗工序:对前序热轧成型品进行酸洗处理;

5)冷加工工序:对前序酸洗处理后的热轧成型品进行冷加工;

6)元件成型工序:对前序热加工或冷加工处理后的带材、丝材、管材、棒材、型材或铸件按实用图纸要求,采用机械加工工艺,生产出所需规格元件;

7)磁性时效处理:对前序成型元件进行初级回火和分级回火工艺,其中:

7.1)初级回火工艺:将前序成型元件送入加热炉回火加热,在640至700℃的温度下保温50至70分钟后,再以20-120℃/小时的冷速冷却到610至620℃出炉,出炉后空冷至室温;

7.2)分级回火工艺:将前序初级回火工艺处理后的成型元件送入加热炉中进行二级回火、三级回火、四级回火或五级回火,其中:

二级回火:在炉内将成型元件加热至610至620℃,保温30至90分钟,再降温至590至600℃,保温60至90分钟后出炉,空冷至室温;

三级回火:在炉内将成型元件加热至610至620℃,保温30至90分钟,再降温至590至600℃,保温60至90分钟,再降温至570至580℃,保温2至3小时后出炉,空冷至室温;

四级回火:在炉内将成型元件加热至610至620℃,保温30至90分钟,再降温至590至600℃,保温60至90分钟,再降温至570至580℃,保温2至3小时,再降温至550至560℃,保温3至4小时后出炉,空冷至室温;

五级回火:在炉内将成型元件加热至610至620℃,保温30至90分钟,再降温至590至600℃,保温60至90分钟,再降温至570至580℃,保温2至3小时,再降温至550至560℃,保温3至4小时,再降温至530至540℃,保温4至6小时后出炉,空冷至室温。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安鸿源电子材料有限责任公司;王军,未经西安鸿源电子材料有限责任公司;王军许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111483797.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top