[发明专利]一种异质外延薄膜外延层的表面处理方法

权利要求书

1.一种异质外延薄膜外延层的表面处理方法，其特征在于，包括：

(1)提供外延衬底，在所述外延衬底上表面制备一外延层，提供待键合层；键合所述外延层和所述待键合层；

(2)机械减薄抛光所述外延衬底下表面，当所述外延衬底的厚度减薄至20-40μm时停止抛光，在减薄后的外延衬底下表面旋涂一层含Si抗反射涂层/有机碳层的光刻胶三层结构掩膜；

(3)对所述光刻胶三层结构掩膜表面加热后进行化学机械减薄抛光，得到三层结构掩膜平坦化的外延衬底；

(4)干法刻蚀所述的三层结构掩膜平坦化的外延衬底表面直至所述外延层外漏得到异质外延薄膜外延层。

2.根据权利要求1所述的异质外延薄膜外延层的表面处理方法，其特征在于，步骤(1)中，所述的键合所述外延层和所述待键合层，包括：

沉积第一键合层以将所述外延层上表面覆盖；于所述待键合层的上表面形成第二键合层，以第一键合层和第二键合层为键合面键合所述外延层和待键合层。

3.根据权利要求2所述的异质外延薄膜外延层的表面处理方法，其特征在于，步骤(1)中，所述的键合层材料为单晶Si、非晶硅、SiO₂、金、锡或银。

4.根据权利要求1或2所述的异质外延薄膜外延层的表面处理方法，其特征在于，步骤(1)中，所述的键合方式为熔键合、金属键合或等离子活化键合，所述键合温度为200℃-1400℃。

5.根据权利要求1所述的异质外延薄膜外延层的表面处理方法，其特征在于，步骤(1)中，所述的外延衬底材料为玻璃、硅、碳化硅、氮化硅、蓝宝石或陶瓷中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的异质外延薄膜外延层的表面处理方法，其特征在于，步骤(1)中，所述的外延层材料为氮化铝、氮化钪铝、氮化镓中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的异质外延薄膜外延层的表面处理方法，其特征在于，步骤(1)中，所述光刻胶三层结构掩膜的厚度为10μm-20μm。

8.根据权利要求1所述的异质外延薄膜外延层的表面处理方法，其特征在于，步骤(2)中，所述的光刻胶三层结构掩膜中的Si和C的质量比为10％-90％。

9.根据权利要求1所述的异质外延薄膜外延层的表面处理方法，其特征在于，步骤(3)中，所述的加热温度为100℃-150℃。

10.根据权利要求1所述的异质外延薄膜外延层的表面处理方法，其特征在于，所述的平坦化的三层结构掩膜的厚度均匀性为1μm以下。