[发明专利]一种改善绝缘基体表面耐磨防护涂层结合强度的方法

权利要求书

1.一种改善绝缘基体表面耐磨防护涂层结合力的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：基体清洗：将绝缘基体进行超声波清洗；

S2：强束流氩离子轰击：将所述绝缘基体放入电弧离子镀膜机中，抽真空后通入氩气，开启电弧等离子体辅助增强离子源，设置离子源电流和基体偏压，进行气体氩离子刻蚀；

S3：制备纯金属Ti过渡层：开启Ti靶，控制气压和基体偏压，制备所述纯金属Ti过渡层；

S4：制备AlTiN耐磨防护涂层：通入氮气，开启AlTi靶，调节气压和基体偏压，在所述纯金属Ti过渡层表面制备所述AlTiN耐磨防护层。

2.如权利要求1所述的改善绝缘基体表面耐磨防护涂层结合力的方法，其特征在于，所述绝缘基体为以氧化物为主的陶瓷材料。

3.如权利要求1所述的改善绝缘基体表面耐磨防护涂层结合力的方法，其特征在于，所述步骤S2中的所述强束流氩离子轰击为柱弧辅助增强氩离子清洗。

4.如权利要求3所述的改善绝缘基体表面耐磨防护涂层结合力的方法，其特征在于，所述步骤S2中的强束流氩离子轰击条件为：本底真空小于1×10^-3Pa，基片温度加热到300℃，通入氩气，氩气流量为100sccm～200sccm，开启柱弧Ti靶，连接辅助阳极离子源，基体负偏压幅值为200V～300V，氩离子刻蚀清洗时间为30min～60min。

5.如权利要求4所述的改善绝缘基体表面耐磨防护涂层结合力的方法，其特征在于，所述步骤S3中Ti靶弧流为100A～120A，沉积气压3.5Pa，基体负偏压幅值从300V逐渐降低至50V，占空比为40％～60％。

6.如权利要求5所述的改善绝缘基体表面耐磨防护涂层结合力的方法，其特征在于，所述步骤S4中AlTi合金靶弧流为100A～120A，沉积气压3Pa～4Pa，基体偏压电源调至脉冲模式，偏压幅值为50V～200V，占空比40％～60％，沉积时间为60min～90min。

7.如权利要求4所述的改善绝缘基体表面耐磨防护涂层结合力的方法，其特征在于，所述步骤S2中离子源电流为60A～110A。

8.如权利要求5所述的改善绝缘基体表面耐磨防护涂层结合力的方法，其特征在于，所述步骤S3中所述纯金属Ti过渡层的厚度为200nm～300nm。

9.如权利要求6所述的改善绝缘基体表面耐磨防护涂层结合力的方法，其特征在于，所述步骤S4中AlTi合金靶的Al与Ti原子数量比为70∶30。

10.如权利要求9所述的改善绝缘基体表面耐磨防护涂层结合力的方法，其特征在于，所述步骤S4中所述AlTiN耐磨防护层的厚度为3μm～5μm。