[发明专利]具有分裂栅的载流子存储槽栅双极型晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种具有分裂栅的载流子存储槽栅双极型晶体管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在N^-掺杂的硅衬底上通过P型离子注入形成P型阱区；

刻蚀形成沟槽，生长第一氧化层作为第一栅氧层，使其覆盖所述沟槽表面并延伸覆盖所述P型阱区表面；

淀积第一多晶硅层，使其覆盖所述沟槽表面的第一氧化层，并完全填充沟槽，对第一多晶硅层进行刻蚀，在沟槽内保留一定厚度的第一多晶硅层；

在第一多晶硅层表面生长第二氧化层作为第二栅氧层，使其覆盖第一氧化层表面；

在第二氧化层表面淀积第二多晶硅层，使其覆盖第二氧化层，并完全填充沟槽，对第二多晶硅层进行化学机械抛光，使其上表面与第二氧化层的上表面相持平；

刻蚀所述第二氧化层，仅保留边缘处的第二氧化层，使所述第二多晶硅层和部分所述P型阱区表面露出，通过N型离子注入形成N⁺区，去除表面的第二氧化物层以露出衬底；

通过高能N型离子注入在P型阱区下方形成载流子存储层；

淀积第三氧化层覆盖衬底表面，刻蚀去除边缘处的第三氧化层以露出部分硅衬底，进行P型离子注入形成P⁺区；

在所述P⁺区上方形成第三多晶硅层；

生长第四氧化层，覆盖所述第三多晶硅层表面；

通过P型离子注入形成背部P阱区，通过N型离子注入形成背部N阱区，其中背部P阱区位于底部，背部N阱区位于背部P阱区上方。

2.根据权利要求1所述的具有分裂栅的载流子存储槽栅双极型晶体管制备方法，其特征在于，

所述第一多晶硅层的上表面与所述P阱区的下表面接近。

3.根据权利要求1所述的具有分裂栅的载流子存储槽栅双极型晶体管制备方法，其特征在于，

所述高能N型离子注入的注入剂量为2×10¹³cm^-2，能量为180KeV。

4.一种具有分裂栅的载流子存储槽栅双极型晶体管，其特征在于，

包括：

N^-掺杂的硅衬底，其形成有P型阱区和载流子存储层，其中载流子存储层位于P型阱区下方；

沟槽，贯穿所述P型阱区和载流子存储层；

第一栅氧层形成在所述沟槽底部和侧壁上，第一多晶硅层覆盖第一栅氧层并填充沟槽下部；

第二栅氧层形成在所述第一多晶硅层上和沟槽上部侧壁上，第二多晶硅层覆盖第二栅氧层并填充沟槽上部；

P⁺区形成在P阱区的上部边缘，N⁺区形成在P阱区的上部中间区域；

第三多晶硅层，形成在所述P⁺区上方；

第四氧化层，覆盖器件上表面；

背部P阱区，形成在硅衬底底部；背部N阱区位于背部P阱区上方。

5.根据权利要求4所述的具有分裂栅的载流子存储槽栅双极型晶体管，其特征在于，

所述第一多晶硅层的上表面与所述P阱区的下表面接近。