[发明专利]高深宽比纳米间隙多物理场耦合探测平台及探测方法

权利要求书

1.一种高深宽比纳米间隙多物理场耦合探测平台，包括：第一导电件、第二导电件以及微电极连线，

其中，所述第一导电件和所述第二导电件之间具有深宽比介于1:1-300:1，宽度为5-100nm的纳米间隙，以及

所述微电极连线分别连接所述第一导电件和所述第二导电件，用于向所述第一导电件和所述第二导电件之间的纳米间隙引入电信号。

2.根据权利要求1所述的高深宽比纳米间隙多物理场耦合探测平台，其特征在于，

所述第一导电件和所述第二导电件是通过电子束光刻实现基于光刻胶的纳米孔图案，然后利用电化学沉积方法填充纳米孔，最后去除光刻胶得到的。

3.根据权利要求2所述的高深宽比纳米间隙多物理场耦合探测平台，其特征在于，

所述第一导电件和所述第二导电件的高度通过调控所述电化学沉积方法的沉积时间来进行调整。

4.根据权利要求1所述的高深宽比纳米间隙多物理场耦合探测平台，其特征在于，

所述高深宽比纳米间隙的宽度为10nm或50nm，深宽比为50:1、100：1或200:1。

5.根据权利要求1所述的高深宽比纳米间隙多物理场耦合探测平台，其特征在于，

所述微电极连线是在导电材料的基础上，通过电子束光刻实现基于光刻胶的微电极连线轮廓，然后利用离子束刻蚀去除相应位置的导电材料，最后去除光刻胶得到的。

6.根据权利要求1所述的高深宽比纳米间隙多物理场耦合探测平台，其特征在于，

所述微电极连线与外部源表相连接以引入所述外部源表提供的电信号。

7.一种高深宽比纳米间隙多物理场耦合探测平台探测方法，包括：

将待测物质施加到第一导电件和第二导电件之间的纳米间隙中，其中所述纳米间隙的深宽比介于1:1-300:1；

将所述纳米间隙置于电场、光场和磁场中的至少两者中，对所述纳米间隙中的待测物质进行多物理场信号探测。

8.根据权利要求7所述的高深宽比纳米间隙多物理场耦合探测平台探测方法，其特征在于，

将所述纳米间隙至于电场、光场和磁场中的至少两者中，对所述纳米间隙中的待测物质进行多物理场信号探测，包括：

通过微电极连线向所述第一导电件和所述第二导电件两侧施加电信号，在所述纳米间隙中形成电场，对所述纳米间隙中的待测物质进行电学探测；

通过将所述纳米间隙置于光场和/或磁场中，发生多物理场响应，对所述纳米间隙中的待测物质进行多种物理场信号探测。

9.根据权利要求7所述的高深宽比纳米间隙多物理场耦合探测平台探测方法，其特征在于，

将所述纳米间隙置于电场、光场和磁场中的至少两者中，对所述纳米间隙中的待测物质进行多物理场信号探测，包括：

通过微电极连线向所述第一导电件和所述第二导电件两侧施加电信号，在所述纳米间隙中形成电场，对所述纳米间隙中的待测物质进行电学探测；

通过将所述纳米间隙置于光场和/或磁场中，对所述纳米间隙中的待测物质进行光学或磁学探测；以及

通过将所述纳米间隙同时置于电场、光场和磁场中的至少两者中，发生多物理场响应，对所述纳米间隙中的待测物质进行多种物理场信号探测。

10.根据权利要求7所述的高深宽比纳米间隙多物理场耦合探测平台探测方法，其特征在于，

所述纳米间隙的深宽比可以通过电化学沉积的沉积时间进行调控。