[发明专利]用于含银薄膜的蚀刻组合物

权利要求书

1.一种用于含银薄膜的蚀刻组合物，其中，所述蚀刻组合物包括：

无机酸化合物、磺酸化合物、有机酸化合物、硝酸盐、金属氧化剂、氨基酸化合物以及水。

2.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，所述磺酸化合物包括选自由甲磺酸、乙磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸、氨基甲基磺酸和氨基磺酸组成的组中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，所述有机酸化合物包括选自由乙酸、柠檬酸、乙醇酸、丙二酸、乳酸、酒石酸、丁酸、甲酸、葡萄糖酸、草酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺基邻苯二甲酸、水杨酸、磺基水杨酸、苯甲酸、甘油酸、琥珀酸、苹果酸、异柠檬酸、丙烯酸、亚氨基二乙酸和乙二胺四乙酸组成的组中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，所述硝酸盐包括选自由硝酸钠、硝酸钾、硝酸铵、硝酸钙、硝酸镁和硝酸铝组成的组中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，所述金属氧化剂包括选自由硝酸铁、硫酸铁、铜和硫酸铜组成的组中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，所述氨基酸化合物包括选自由甘氨酸、丙氨酸、缬氨酸、亮氨酸、异亮氨酸、丝氨酸、苏氨酸、天冬氨酸、半胱氨酸和甲硫氨酸组成的组中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，所述无机酸化合物包括硝酸。

8.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，所述蚀刻组合物包括：

1wt％至13wt％的所述无机酸化合物，

0.1wt％至7wt％的所述磺酸化合物，

30wt％至55wt％的所述有机酸化合物，

1wt％至17wt％的所述硝酸盐，

0.01wt％至0.09wt％的所述金属氧化剂，

0.1wt％至7wt％的所述氨基酸化合物，并且

所述蚀刻组合物的剩余部分是水。

9.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中：

所述无机酸化合物包括硝酸，

所述磺酸化合物包括甲磺酸，

所述有机酸化合物包括柠檬酸和乙酸，

所述硝酸盐包括硝酸钙和硝酸铵，

所述金属氧化剂包括硝酸铁，并且

所述氨基酸化合物包括甘氨酸。

10.根据权利要求9所述的蚀刻组合物，其中，所述蚀刻组合物不包括硫酸氢铵和磷酸。