[发明专利]限定磁道轨迹以减小AC磁道压缩的数据存储装置在审

专利信息
申请号: 202111473910.8 申请日: 2020-03-24
公开(公告)号: CN114141273A 公开(公告)日: 2022-03-04
发明(设计)人: H·艾德;T·滨口;M·池田;N·伊藤 申请(专利权)人: 西部数据技术公司
主分类号: G11B5/596 分类号: G11B5/596
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 袁策
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 限定 磁道 轨迹 减小 ac 压缩 数据 存储 装置
【权利要求书】:

1.一种数据存储装置,其包括:

磁盘,其包括用于限定多个数据磁道的伺服数据,其中每一数据磁道包括多个数据段;

磁头,其在所述磁盘上方致动;以及

控制电路,其配置成:

将第一数据写入到第一数据磁道的数据段;

将第二数据写入到第二数据磁道的数据段;

在写入所述第二数据之后,在所述第一数据磁道的多个偏离磁道偏移处读取所述第一数据,以测量所述第一数据磁道的平均偏离磁道读取能力(OTRC);

生成所述第一数据磁道的第一数据段的交叉磁道轮廓;以及

使所述交叉磁道轮廓的至少部分与所测量平均OTRC相关。

2.根据权利要求1所述的数据存储装置,其中所述第二数据磁道至少部分地与所述第一数据磁道重叠。

3.根据权利要求1所述的数据存储装置,其中所述控制电路进一步配置成:

基于所述交叉磁道轮廓与所述所测量平均OTRC的相关性,生成第三数据磁道的磁道轨迹;以及

基于所述磁道轨迹将第三数据写入到所述第三数据磁道的所述数据段。

4.根据权利要求3所述的数据存储装置,其中所述控制电路进一步配置成基于所述第三数据磁道的交叉磁道轮廓的至少部分,生成所述第三数据磁道的所述磁道轨迹。

5.根据权利要求4所述的数据存储装置,其中所述控制电路进一步配置成基于所述第三数据磁道的交叉磁道轮廓的拐点,生成所述第三数据磁道的所述磁道轨迹。

6.根据权利要求1所述的数据存储装置,其中所述控制电路进一步配置成:

针对所述第一数据磁道的多个磁道间距中的每一个测量所述第一数据磁道的所述平均OTRC;

在每一磁道间距处生成所述第一数据磁道的所述第一数据段的所述交叉磁道轮廓;以及

在每一磁道间距处使每一交叉磁道轮廓的至少部分与所述所测量平均OTRC相关。

7.根据权利要求6所述的数据存储装置,其中所述控制电路进一步配置成生成磁道轨迹,以实现第三数据磁道的目标磁道间距。

8.根据权利要求1所述的数据存储装置,其中当在多个偏离磁道偏移处对所述第一数据段进行读取时,基于所测量的质量度量来生成所述交叉磁道轮廓。

9.根据权利要求8所述的数据存储装置,其中所述质量度量包括所述第一数据段的误差率。

10.根据权利要求8所述的数据存储装置,其中:

所述第一数据由第一周期性模式组成,所述第一周期性模式由第一转变频率组成;

所述第二数据由第二周期性模式组成,所述第二周期性模式由第二转变频率组成;且

所述质量度量包括信噪比(SNR)测量值。

11.根据权利要求1所述的数据存储装置,其中所述控制电路进一步配置成基于所述第一数据磁道的扇区故障率,生成所述第一数据磁道的所述平均OTRC。

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