[发明专利]一种LDMOS器件的制备方法及器件

权利要求书

1.一种LDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，

步骤S1，提供一第一型半导体材质的衬底，所述衬底上部包括一第二型半导体材质的埋层，所述埋层顶部设置有一第一型半导体材质的外延层，所述外延层中一侧设置有一第一型半导体材质的阱区，另一侧设置有一漂移区，于所述漂移区中部上方形成一场氧层，所述场氧层两侧暴露所述漂移区的上表面；

步骤S2，于所述场氧层朝向所述阱区的一侧形成一部分覆盖所述阱区的栅氧层；

步骤S3，于所述栅氧层上表面及所述场氧层上表面形成已连续的多晶硅栅层，使所述多晶硅栅层覆盖所述栅氧层上表面，以及部分所述场氧层上表面；

步骤S4，分割所述多晶硅栅层，使所述多晶硅栅层分成对应所述阱区的第一多晶硅栅层及对应所述漂移区的第二多晶硅栅层；

步骤S5，分别于所述第一多晶硅栅层及所述第二多晶硅栅层两侧形成侧墙；

步骤S6，分别于所述栅氧层背向所述漂移区的一侧及所述场氧层背向所述阱区的一侧定义源漏掺杂区，通过一第一掩膜同时对所述源漏掺杂区及所述第一多晶硅栅层进行第二型半导体离子重掺杂，以及，于所述位于所述栅氧层一侧的所述源漏掺杂区背向所述漂移区的一侧定义一第一型半导体离子重掺杂区，通过一第二掩膜同时对所述第一型半导体离子重掺杂区及所述第二多晶硅栅层进行第一型半导体离子重掺杂。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1包括，

步骤S11，提供一第一型半导体材质的衬底；

步骤S12，于所述衬底上部通过第二型半导体离子注入形成所述埋层；

步骤S13，于所述埋层上表面生长形成所述外延层；

步骤S14，于所述外延层上表面形成一氧化层，并刻蚀所述氧化层以形成所述场氧层；

步骤S15，通过离子注入分别形成所述阱区及所述漂移区，并对所述阱区及所述漂移区分别执行退火工艺。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，通过热氧化工艺形成所述栅氧层。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，通过淀积工艺形成所述多晶硅栅层。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，通过光刻工艺形成一掩膜层，通过所述掩膜层刻蚀所述多晶硅栅层，以形成所述第一多晶硅栅层，及所述第二多晶硅栅层。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S5包括以下步骤，

步骤S51，分别于所述第一多晶硅栅层及所述第二多晶硅栅层的两侧形成一第一侧墙；

步骤S52，于所述外延层上表面，所述第一侧墙外表面，所述第一多晶硅栅层上表面及所述第二多晶硅栅层上表面形成一氮化层；

步骤S53，刻蚀去除所述外延层上表面，所述第一多晶硅栅层上表面及所述第二多晶硅栅层上表面的所述氮化层，保留所述第一侧墙外表面的所述氮化层，以形成一第二侧墙。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S6包括，

步骤S611，于所述外延层上表面，所述第二侧墙外表面，所述第一多晶硅栅层上表面及所述第二多晶硅栅层上表面形成一光阻层；

步骤S612，图案化所述光阻层，以打开对应所述源漏掺杂区及所述第一多晶硅栅层的工艺窗口；

步骤S613，通过所述光阻层对所述源漏掺杂区及所述第一多晶硅栅层进行第二型半导体离子注入；

步骤S614，去除所述光阻层，并对离子注入后的所述源漏掺杂区及所述第一多晶硅栅层进行热处理。