[发明专利]关于重复矩阵型图案缺陷的检测方法在审
| 申请号： | 202111471986.7 | 申请日： | 2021-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN114267603A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 刘青青;米琳;宁威 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 关于 重复 矩阵 图案 缺陷 检测 方法 | ||
1.一种关于重复矩阵型图案缺陷的检测方法，其特征在于，其包括以下步骤：
步骤一，首先对晶圆进行预扫描，确认重复矩阵图案密集区的走向；
步骤二，改变扫描方向，保持扫描方向与重复矩阵图案走向平行，保证收集更多的散射光，使缺陷在偏振光下能够产生并增强信号、强化缺陷信号；
步骤三，运用傅立叶滤光器并通过相干衍射的原理，减少背景噪扰，更大程度的弱化背景从而增强信号。
2.如权利要求1所述的关于重复矩阵型图案缺陷的检测方法，其特征在于，所述晶圆包括多个芯片，多个芯片为多行多列的形式存在，呈阵列的形式布局在所述晶圆上。
3.如权利要求1所述的关于重复矩阵型图案缺陷的检测方法，其特征在于，所述步骤一利用暗场缺陷扫描机台对晶圆进行预扫描。
4.如权利要求3所述的关于重复矩阵型图案缺陷的检测方法，其特征在于，所述暗场缺陷扫描机台利用傅立叶滤光器针对晶圆表面相同裸片的重复单元进行滤波。
5.如权利要求1所述的关于重复矩阵型图案缺陷的检测方法，其特征在于，所述步骤二根据当层图形走向，对晶圆进行转角处理，从而改变扫描方向。
6.如权利要求1所述的关于重复矩阵型图案缺陷的检测方法，其特征在于，所述傅立叶变换将一个函数分解为其频率成分的连续频谱。
7.如权利要求1所述的关于重复矩阵型图案缺陷的检测方法，其特征在于，所述步骤一将晶圆的每一待检测区域划分为重复矩阵图案密集区和重复矩阵图案非密集区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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